0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

SemiQ 1200V SiC MOSFET Module说明介绍

深圳市浮思特科技有限公司 2024-05-16 11:16 次阅读

SiC MOSFET模块是一种基于碳化硅(SiC)材料的功率半导体器件,它结合了MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的高效开关特性和SiC材料的优异性能。与传统的硅基MOSFET相比,SiC MOSFET模块具有更高的工作温度、更低的导通电阻、更快的开关速度和更好的热导率,SiC MOSFET模块的引入有助于提高系统效率,减小系统尺寸和重量,是现代电力电子技术的重要进步。

wKgaomZFel2AYam-AABGysdp7-o349.pngSiC MOSFET Module

SemiQ 的 SiC MOSFET 模块的开关损耗接近于零,大大提高了效率,减少了散热,并且需要更小的散热器。这些优点使 SemiQ 的产品成为各种应用的理想选择,包括直流电源设备的电源、感应加热整流器、焊接设备、高温环境、太阳能逆变器电机驱动器、电源、充电站等。

SemiQ 1200V SiC MOSFET 模块系列产品:

wKgZomZFemyAK9keAACIVTnS4W4843.png

SiC MOSFET Modules引出线和电路图:

wKgZomZFenaAZLtkAAAes1CzplI121.png

SemiQ 1200V SiC MOSFET 模块优势介绍:

封装高度降低,电感降低

开关损耗低

低结到外壳热阻

非常坚固且易于安装

直接安装到散热器(独立封装)

特征:

高速开关SiC MOSFET

可靠的体二极管

所有部件均测试到1350V以上

用于稳定操作的开尔文参考

隔离底板

应用:

光伏和风力逆变器

电动汽车/电池充电器

储能系统

高压直流-直流转换器

感应加热

SMPS和UPS

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    142

    文章

    6929

    浏览量

    211720
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    26308

    浏览量

    209924
  • Module
    +关注

    关注

    0

    文章

    63

    浏览量

    12832
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    瞻芯电子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性测试认证

    近日,上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品(IV3Q12013T4Z)通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试
    的头像 发表于 06-24 09:13 583次阅读
    瞻芯电子第三代<b class='flag-5'>1200V</b> 13.5mΩ <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>通过车规级可靠性测试认证

    Nexperia发布新款1200V碳化硅MOSFET

    Nexperia(安世半导体)近日宣布,公司推出了业界领先的1200V碳化硅(SiCMOSFET,标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
    的头像 发表于 05-23 11:34 742次阅读

    SemiQ汽车用SiC MOSFET 介绍

    EVDC-DC转换器SemiQSiC产品为汽车应用提供一流的可靠性、质量和性能。我们提供模块和分立封装形式的1200VMOSFET,旨在最大限度地提高效率。DC-DC转换器对于维护电动汽车
    的头像 发表于 05-14 10:48 199次阅读
    <b class='flag-5'>SemiQ</b>汽车用<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> <b class='flag-5'>介绍</b>

    纳芯微推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列

    纳芯微近期发布了其首款1200V SiC MOSFET产品——NPC060N120A系列,该系列产品的RDSon值低至60mΩ,展现了出色的性能。这款MOSFET提供了两种封装形式,包
    的头像 发表于 05-13 15:27 746次阅读

    昕感科技发布一款1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0

    近日,昕感科技发布一款兼容15V栅压驱动的1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0,导通电阻在15V栅压下低至1
    的头像 发表于 05-11 10:15 692次阅读
    昕感科技发布一款<b class='flag-5'>1200V</b>低导通电阻<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>产品N2M120013PP0

    纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET

    纳芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列产品NPC060N120A,其RDSon值低至60mΩ,展现了出色的导电性能。这款产品提供了通孔式TO-247-4L和表面贴装TO-263-7L两种封装形式,满足车规
    的头像 发表于 05-06 15:20 529次阅读

    纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品

    纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品,该产品RDSon为60mΩ,具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式,可提供车规与工规两种等级。
    的头像 发表于 04-17 14:02 543次阅读
    纳芯微推出<b class='flag-5'>1200V</b>首款<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> NPC060N120A系列产品

    纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET

    纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品,该产品RDSon为60mΩ,具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式,可提供车规与工规两种
    的头像 发表于 04-17 13:37 306次阅读
    纳芯微发布首款<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>

    沟槽当道,平面型SiC MOSFET尚能饭否?

    电子发烧友网报道(文/梁浩斌)最近,安森美发布了第二代1200V SiC MOSFET产品。安森美在前代SiC MOSFET产品中,采用M1
    的头像 发表于 04-08 01:55 3764次阅读

    瞻芯电子推出一款车规级1200V SiC三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

    近日,瞻芯电子正式推出一款车规级1200V 碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z,该模块产品及其采用的1200V 80mΩ SiC
    的头像 发表于 04-07 11:37 1204次阅读
    瞻芯电子推出一款车规级<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b>三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z

    安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧

    安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET
    的头像 发表于 03-28 10:01 1097次阅读
    安森美<b class='flag-5'>1200V</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b> M3S系列设计注意事项和使用技巧

    安森美发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S

    安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名为M3S,其中S代表开关。
    的头像 发表于 03-26 09:57 1189次阅读
    安森美发布了第二代<b class='flag-5'>1200V</b>碳化硅 (<b class='flag-5'>SiC</b>) <b class='flag-5'>MOSFET</b>—M3S

    NSF080120L3A0:1200 V,80 mΩ,N沟道SiC MOSFET一般说明

    电子发烧友网站提供《NSF080120L3A0:1200 V,80 mΩ,N沟道SiC MOSFET一般说明.pdf》资料免费下载
    发表于 12-19 15:36 0次下载
    NSF080120L3A0:<b class='flag-5'>1200</b> <b class='flag-5'>V</b>,80 mΩ,N沟道<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>一般<b class='flag-5'>说明</b>

    中瓷电子:国联万众部分1200V SiC MOSFET产品已批量供货中

    据悉,国联万众公司已研发出具备指标性能堪比国外知名厂商的1200V SiC MOSFET产品,部分型号产品已开始供应市场。另一方面,针对比亚迪在内的多方潜在客户,该公司的电动汽车主驱用大功率M
    的头像 发表于 12-12 10:41 392次阅读

    国星光电的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功获得AEC-Q101车规级认证

    1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二极管)器件获AEC-Q101车规级认证后
    的头像 发表于 10-25 18:28 630次阅读
    国星光电的<b class='flag-5'>1200V</b>/80mΩ<b class='flag-5'>SiC-MOSFET</b>器件成功获得AEC-Q101车规级认证