SiC MOSFET模块是一种基于碳化硅(SiC)材料的功率半导体器件,它结合了MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的高效开关特性和SiC材料的优异性能。与传统的硅基MOSFET相比,SiC MOSFET模块具有更高的工作温度、更低的导通电阻、更快的开关速度和更好的热导率,SiC MOSFET模块的引入有助于提高系统效率,减小系统尺寸和重量,是现代电力电子技术的重要进步。

SemiQ 的 SiC MOSFET 模块的开关损耗接近于零,大大提高了效率,减少了散热,并且需要更小的散热器。这些优点使 SemiQ 的产品成为各种应用的理想选择,包括直流电源设备的电源、感应加热整流器、焊接设备、高温环境、太阳能逆变器、电机驱动器、电源、充电站等。
SemiQ 1200V SiC MOSFET 模块系列产品:

SiC MOSFET Modules引出线和电路图:

SemiQ 1200V SiC MOSFET 模块优势介绍:
封装高度降低,电感降低
开关损耗低
低结到外壳热阻
非常坚固且易于安装
直接安装到散热器(独立封装)
特征:
高速开关SiC MOSFET
可靠的体二极管
所有部件均测试到1350V以上
用于稳定操作的开尔文参考
隔离底板
应用:
光伏和风力逆变器
电动汽车/电池充电器
储能系统
感应加热
SMPS和UPS
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