近日,SK海力士与台积电宣布达成合作,计划量产下一代HBM(高带宽内存)。在这项合作中,台积电将主导基础芯片的前端工艺(FEOL)和后续布线工艺(BEOL),确保基础芯片的质量与性能。而SK海力士则负责晶圆测试和HBM的堆叠工作,确保产品的最终品质与可靠性。
此次合作体现了半导体行业产业链的深度合作趋势。台积电凭借其在7nm制程技术上的优势,将助力SK海力士打造更高性能的HBM产品。业界预测,SK海力士将通过台积电的先进制程技术,制造出更先进的HBM4基片,以满足市场对高性能计算、数据中心等领域日益增长的需求。
这一合作不仅有助于提升双方的技术实力和市场竞争力,还将为整个半导体行业的发展注入新的活力。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
台积电
+关注
关注
43文章
5595浏览量
165951 -
SK海力士
+关注
关注
0文章
942浏览量
38393 -
HBM
+关注
关注
0文章
365浏览量
14677
发布评论请先 登录
相关推荐
英伟达加速Rubin平台AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存储器
日,英伟达(NVIDIA)的主要高带宽存储器(HBM)供应商南韩SK集团会长崔泰源透露,英伟达执行长黄仁勋已要求SK海力士提前六个月交付用于英伟达下
英伟达向SK海力士提出提前供应HBM4芯片要求
近日,韩国SK集团会长透露了一项重要信息,即英伟达公司的首席执行官黄仁勋已向SK海力士提出了一项特殊的要求。黄仁勋希望
SK海力士携手台积电,N5工艺打造高性能HBM4内存
在半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次引领行业潮流,宣布将采用台积电先进的N5工艺版基础裸片来构建其新
英伟达、台积电与SK海力士携手,2026年量产HBM4内存,能效显著提升
科技行业持续向AI时代迈进的浪潮中,英伟达、台积电与SK海力士三大巨头宣布了一项重大合作,旨在通
台积电携手创意电子,斩获SK海力士HBM4芯片大单
在全球半导体市场的激烈竞争中,台积电再次凭借其卓越的技术实力和创新能力,携手旗下子公司创意电子,成功斩获了SK
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞银集团最新报告指出,SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起,每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM)市场的领军企业,SK
SK海力士HBM4E存储器提前一年量产
SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK
SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025年
SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积
SK海力士与台积电共同研发HBM4,预计2026年投产
自 HBM3E(第五代 HBM 产品)起,SK海力士的 HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产;
SK海力士联手台积电推出HBM4,引领下一代DRAM创新
SK海力士表示,凭借其在AI应用领域存储器发展的领先地位,以及与台积电在全球顶尖逻辑代工领域的深厚合作基础,该公司有信心持续引领
刚刚!SK海力士出局!
在基础晶圆上通过硅通孔(TSV)连接多层DRAM,首批HBM3E产品均采用8层堆叠,容量为24GB。SK海力士和三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称,英伟达已经向SK
SK海力士预计3月量产HBM3E,供货英伟达
长达半年的严格性能评估。据此,SK海力士计划在今年3月开始量产这款高频宽记忆体,以供应给英伟达作为他们下一代Blackwell系列AI芯片旗舰产品B100的首选存储器。
评论