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英特尔竞购High-NA EUV设备,台积电决定回避

微云疏影 来源:综合整理 作者:综合整理 2024-05-20 09:39 次阅读

英特尔宣布引入ASML的高数值孔径极紫外光(High-NA EUV)设备,被视作回归技术主导地位的重要举措。然而,有业内人士担心这可能导致英特尔的亏损进一步加剧。此举引发了对其是否成功回归技术领导地位的探讨。

另一方面,台积电的年度技术论坛正在美国和欧洲如火如荼地进行,备受世人瞩目的是该公司计划在2026年量产A16技术,该技术将结合纳米片晶体管和超级电轨架构。而对于英特尔斥巨资引进High-NA EUV设备,却被曝台积电决定继续沿用现有EUV设备代替High-NA EUV设备,形成鲜明对比。

据悉,尽管英特尔希望借助High-NA EUV设备重回技术领导者之列,但实际市场反应部分项目经理担忧这可能增加英特尔的生产成本并降低其盈利能力。因此,英特尔是否真的能凭借High-NA EUV设备重回技术领导者之列,仍需要时间来验证。

在此背景下,台积电决定A16制程不采用High-NA EUV设备的原因引起了广泛关注。有专家分析,台积电可能已经权衡过High-NA EUV设备的优缺点,并选择了更为经济实惠的方案。同时,也有人认为,如果客户愿意支付更高的费用,台积电仍然有可能选择High-NA EUV设备。

此外,ASML表示,High-NA EUV设备的数值孔径从0.33增大到0.55,具有更高的分辨率和精度,有助于简化制造流程,缩短生产时间,提高生产效率。然而,由于设备价格昂贵,每套设备售价高达3.8亿美元,比EUV设备高出近一倍,这无疑给制造商带来了巨大压力。

总的来说,虽然英特尔和台积电都在积极推进先进工艺,但他们的策略和选择各有不同。英特尔的举动是否能帮助其重回技术领导者之列,以及台积电是否会改变主意,采用High-NA EUV设备,这些问题都有待时间给出答案。

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