截至2024年5月14日,上海维安半导体有限公司的“一种基于错位触发的可控硅保护器件”发明专利正式公之于众,其申请公开编号为CN118039639A。
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该项技术创新结合了至少一个插指单元,每个单元的核心组件包括:衬底及在衬底一表面上生成的外延层;第一N型阱区和P型阱区,分别在外延层内形成;第一N+区和第一P+区,分别在第一N型阱区内生成,且第一P+区与第一N+区电性相连,构成了保护器件的阳极;第三N+区,在P型阱区内生成,其电性输出端则作为保护器件的阴极;第二N+区和第二P+区,同样在外延层内生成,其中第二P+区位于第一N型阱区远离P型阱区的一侧,并与第二N+区直接接触。此设计的优势在于,通过将导通路径与触发路径分离开来,显著提升了器件的稳定性和可靠性。
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