SiC Module,即碳化硅功率模块,是一种利用碳化硅(SiC)半导体材料制造的电力电子器件。与传统的硅基功率模块相比,SiC模块具有更高的热导率、更高的击穿电场强度和更低的导通电阻,这使得它们能够在更高的温度、频率和电压下工作,同时减少能量损耗。这些特性使得SiC模块在工业电机驱动等领域中具有显著的优势,推动了电子技术的发展。

经过不懈努力,我们研发出了MPRA1C65-S61 SiC模块。这款模块采用了先进的碳化硅(SiC)半导体技术,以其卓越的性能和创新的设计,重新定义了功率电子的标准。它不仅拥有更高的热导率和更低的导通电阻,还能够在极端的工作条件下保持稳定,显著提升了系统的整体效率和可靠性。
浮思特 MPRA1C65-S61 封装信息:

封装电路图:

特征:
几乎无开关损耗
可忽略的反向恢复
更高的开关频率
高浪涌电流能力
提高的系统效率
优势:
开关特性几乎与温度无关
正的温度系数
散热的要求
RoHS无卤素/符合RoHS标准

无论是在高温环境下的持久运行,还是在高频率下的精确控制,MPRA1C65-S61 SiC模块都能提供无与伦比的性能表现。浮思特的这款碳化硅模块,将为电动汽车、可再生能源系统和工业电机驱动等关键领域带来革命性的变化。
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