在近日举行的2024年欧洲技术研讨会上,台积电透露了关于HBM4基础芯片制造的新进展。据悉,未来HBM4将采用逻辑制程进行生产,台积电计划使用其N12和N5制程的改良版来完成这一任务。
这一技术革新对于台积电来说意义重大,因为它预计将使公司在HBM4制造领域占据有利地位。目前,许多存储供应商尚无法经济地生产如此先进的基础芯片,而台积电凭借其独特的制程技术和持续的创新,有望在这一领域取得领先地位。
HBM4作为新一代高性能内存技术,对于提升计算设备的性能至关重要。台积电此次的技术突破,不仅展现了其在半导体制造领域的实力,也为整个行业带来了新的发展机遇。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
台积电
+关注
关注
44文章
5632浏览量
166403 -
HBM
+关注
关注
0文章
379浏览量
14744 -
HBM4
+关注
关注
0文章
48浏览量
32
发布评论请先 登录
相关推荐
HBM3E量产后,第六代HBM4要来了!
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)眼下各家存储芯片厂商的HBM3E陆续量产,HBM4正在紧锣密鼓地研发,从规格标准到工艺制程、封装技术等都有所进展,原本SK海力士计划2026年量产HBM4
特斯拉欲将HBM4用于自动驾驶,内存大厂加速HBM4进程
电子发烧友网报道(文/黄晶晶)近日据韩媒报道,特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4的采购意向,并要求这两家公司提供通用HBM4芯片样品。特斯拉此次欲采购通用HBM4
三星电子或2026年将HBM4基底技术生产外包给台积电
据媒体报道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星电子预计将于2026年将其HBM4基底技术的生产外包给台积电,并计划采用12nm至6nm的先进
三星与台积电合作开发无缓冲HBM4 AI芯片
在科技日新月异的今天,三星电子与台积电两大半导体巨头的强强联合再次引发业界瞩目。据最新报道,双方正携手并进,共同开发下一代高带宽存储器(HBM4)人工智能(AI)
三星携手台积电,共同研发无缓冲HBM4 AI芯片技术
据最新报道,三星电子与台积电携手共谋AI芯片的未来,双方正紧密合作开发下一代高带宽存储器(HBM4)芯片
SK海力士携手台积电,N5工艺打造高性能HBM4内存
在半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次引领行业潮流,宣布将采用台积电先进的N5工艺版基础裸片来构建其新一代HBM4内存。这一举措不仅标志着SK海力士在高性能存储解决方案领域的持续深
英伟达、台积电与SK海力士携手,2026年量产HBM4内存,能效显著提升
科技行业持续向AI时代迈进的浪潮中,英伟达、台积电与SK海力士三大巨头宣布了一项重大合作,旨在通过组建“三角联盟”共同推进下一代高带宽内存(HBM)技术的发展,特别是备受瞩目的
台积电携手创意电子,斩获SK海力士HBM4芯片大单
在全球半导体市场的激烈竞争中,台积电再次凭借其卓越的技术实力和创新能力,携手旗下子公司创意电子,成功斩获了SK海力士在下一代HBM4(High Bandwidth Memory
台积电携手创意电子斩获HBM4关键界面芯片大单
在科技浪潮的涌动下,台积电再次展现其行业领导者的地位。据台媒《经济日报》6月24日报道,继独家代工英伟达、AMD等科技巨头AI芯片之后,
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞银集团最新报告指出,SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起,每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存(HBM)市场的领军企业,SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能已全部售
台积电将采用HBM4,提供更大带宽和更低延迟的AI存储方案
在近期举行的2024年欧洲技术研讨会上,台积电透露了即将用于HBM4制造的基础芯片的部分新信息。据悉,未来
SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025年
SK海力士宣布,计划于2025年下半年推出首款采用12层DRAM堆叠的HBM4产品,而16层堆叠版本的推出将会稍后。根据该公司上月与台积电签署的HB
SK海力士将采用台积电7nm制程生产HBM4内存基片
HBM内存基础裸片即DRAM堆叠基座,兼具与处理器通信的控制功能。SK海力士近期与台积电签订HBM内存合作协议,首要任务便是提升
SK海力士和台积电签署谅解备忘录 目标2026年投产HBM4
4 月 19 日消息,SK 海力士宣布和台积电签署谅解备忘录(MOU),推进 HBM4 研发和下一代封装技术,目标在 2026 年投产
SK海力士与台积电共同研发HBM4,预计2026年投产
自 HBM3E(第五代 HBM 产品)起,SK海力士的 HBM 产品基础裸片均采用自家工艺生产;然而,从 HMB4(第六代
评论