荷兰媒体 Bits&Chips 日前爆料,ASML 正探讨推出通用 EUV 光刻平台的可能性。该公司首席技术官、现担任顾问的马丁・范登布林克(Martin van den Brink)于最近召开的 imec ITF World 技术论坛发表讲话时透露,ASML 计划在未来十年内打造一个集成 Low NA(0.33NA)、High NA(0.55NA)以及预计达到 0.7NA 的 Hyper NA 系统的单一平台。
范登布林克指出,更高的数值孔径能提高光刻分辨率。他进一步解释说,Hyper NA 光刻机将简化先进制程生产流程,避免因使用 High NA 光刻机进行双重图案化导致的额外步骤及风险。
他强调,共享同一基础平台的多种 EUV 光刻机会降低研发成本,并方便将 Hyper-NA 机台的技术进步推广至数值孔径较小的光刻机。据悉,ASML 最新款 0.33NA EUV 光刻机 NXE:3800E 已采用为 High NA 光刻机设计的高速载物台移动系统。
此外,ASML 计划将其 DUV 和 EUV 光刻机的晶圆吞吐量由目前的每小时 200~300 片提升至每小时 400~500 片,以提高单台光刻机的生产效率,进而降低行业成本。
范登布林克在演讲中还提及,当前人工智能的发展趋势显示,消费者对多样化应用有强烈需求,但受限于能耗、计算能力和海量数据集等因素。
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