荷兰媒体 Bits&Chips 日前爆料,ASML 正探讨推出通用 EUV 光刻平台的可能性。该公司首席技术官、现担任顾问的马丁・范登布林克(Martin van den Brink)于最近召开的 imec ITF World 技术论坛发表讲话时透露,ASML 计划在未来十年内打造一个集成 Low NA(0.33NA)、High NA(0.55NA)以及预计达到 0.7NA 的 Hyper NA 系统的单一平台。
范登布林克指出,更高的数值孔径能提高光刻分辨率。他进一步解释说,Hyper NA 光刻机将简化先进制程生产流程,避免因使用 High NA 光刻机进行双重图案化导致的额外步骤及风险。
他强调,共享同一基础平台的多种 EUV 光刻机会降低研发成本,并方便将 Hyper-NA 机台的技术进步推广至数值孔径较小的光刻机。据悉,ASML 最新款 0.33NA EUV 光刻机 NXE:3800E 已采用为 High NA 光刻机设计的高速载物台移动系统。
此外,ASML 计划将其 DUV 和 EUV 光刻机的晶圆吞吐量由目前的每小时 200~300 片提升至每小时 400~500 片,以提高单台光刻机的生产效率,进而降低行业成本。
范登布林克在演讲中还提及,当前人工智能的发展趋势显示,消费者对多样化应用有强烈需求,但受限于能耗、计算能力和海量数据集等因素。
-
分辨率
+关注
关注
2文章
1073浏览量
42068 -
光刻机
+关注
关注
31文章
1159浏览量
47659 -
EUV
+关注
关注
8文章
609浏览量
86215 -
ASML
+关注
关注
7文章
722浏览量
41400
发布评论请先 登录
相关推荐
光刻机巨头ASML业绩暴雷,芯片迎来新一轮“寒流”?
日本首台EUV光刻机就位

日本大学研发出新极紫外(EUV)光刻技术
ASML拟于2030年推出Hyper-NA EUV光刻机,将芯片密度限制再缩小
阿斯麦(ASML)与比利时微电子(IMEC)联合打造的High-NA EUV光刻实验室正式启用

后门!ASML可远程锁光刻机!
台积电张晓强:ASML High-NA EUV成本效益是关键
台积电未确定是否采购阿斯麦高数值孔径极紫外光刻机
ASML发货第二台High NA EUV光刻机,已成功印刷10nm线宽图案
英特尔率先推出业界高数值孔径 EUV 光刻系统
英特尔突破技术壁垒:首台商用High NA EUV光刻机成功组装
阿斯麦(ASML)公司首台高数值孔径EUV光刻机实现突破性成果

ASML 首台新款 EUV 光刻机 Twinscan NXE:3800E 完成安装

评论