SK海力士HBM3E内存良率已达80%
据了解，SK 海力士生产主管 Kwon Jae-soon近日向《金融时报》透露，其HBM3E存储器的良率已接近80%。
相较于常规DRAM，HBM制造过程更为复杂，需在DRAM层间建立TSV硅通孔并进行多次芯片键合，一旦某层DRAM出现故障，则整组HBM都要作废处理。这使得HBM，特别是多层堆叠的HBM3E产品在良率上相对DRAM较低。
早在今年3月份，韩国媒体DealSite报道中指出，全球HBM存储器的平均良率约为65%。据此来看，SK海力士在近期对HBM3E存储器的生产工艺进行了显著提升。
Kwon Jae-soon还表示，SK海力士已经将HBM3E的生产周期缩短了50%。这意味着更高的生产效率，能为下游客户如英伟达提供更稳定的供应。他进一步强调，今年SK海力士的主要任务是生产8层堆叠的HBM3E，因为此规格是当前市场需求的主流。
Kwon Jae-soon表示：“在人工智能时代，提高产量对于保持领先地位至关重要。”
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