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三星HBM芯片因发热和功耗问题影响测试,与英伟达合作暂时搁浅

微云疏影 来源:综合整理 作者:综合整理 2024-05-24 14:17 次阅读

据三名知情者透露,因发热与能耗问题,三星最新款高带宽存储(HBM)芯片尚未通过英伟达测试,这使得测试被迫中断。这款有问题的芯片为HBM3,是当前人工智能AI)图形处理器GPU)中最常采用的第四代HBM标准,同时也涉及到三星及其他竞争对手计划于今年推出的第五代HBM3E芯片。

这是三星首次公开承认未能通过英伟达测试的原因。三星在声明中表示,HBM是定制化存储产品,需“依据客户需求进行优化”,并强调正与客户紧密合作以提升产品性能。然而,对于具体客户信息,三星并未作出回应。英伟达同样保持沉默。

HBM是一种动态随机存取存储器,于2013年问世,通过芯片垂直堆叠以节约空间、降低能耗,适用于处理复杂AI应用所产生的海量数据。随着生成式AI的崛起,市场对复杂GPU的需求激增,HBM的需求也水涨船高。英伟达在全球AI应用GPU市场占有约80%的份额。

据悉,自去年起,三星一直在全力争取通过英伟达的HBM3和HBM3E测试。其中,三星8层和12层HBM3E芯片最近一次测试失败的结果于4月份公布。相比之下,SK海力士作为英伟达的主要HBM芯片供应商,自2022年6月起便开始供应HBM3;而美光则表示将向英伟达提供HBM3E。

目前尚不确定三星能否顺利解决上述问题,但消息人士指出,未能达到英伟达的要求已经引发业内和投资者的忧虑,他们担心三星的HBM技术可能会进一步落后于竞争对手SK海力士和美光。

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