5月21日,厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府与杭州士兰微电子股份有限公司在厦门共同签署了《战略合作框架协议》。按照协议约定,各方合作在厦门市海沧区建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。该项目分两期建设,项目一期投资规模70亿元,二期投资规模约50亿元,两期建设完成后,将在厦门市海沧区形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的生产能力。
同日(5月21日),杭州士兰微电子股份有限公司(以下简称“士兰微”)发布公告称,拟在厦门投资建设8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目。
资料显示,杭州士兰微电子股份有限公司(以下简称“士兰微”)于1997年成立,总部位于杭州,2003年3月在上交所主板上市(证券代码600460),是全球前20、国内第一的功率芯片设计与制造一体化(IDM)企业。2018年2月,士兰微在海沧落地12英寸特色工艺芯片制造企业士兰集科和6英寸化合物半导体芯片制造企业士兰明镓,已成为国家大基金在厦门市的重点投资项目,吸引国家大基金投资9.5亿元。2024年3月,士兰微在海沧落地8英寸碳化硅芯片制造企业士兰集宏。
根据最新公告显示,士兰微与厦门半导体投资集团有限公司(以下简称“厦门半导体集团”)、厦门新翼科技实业有限公司(以下简称“厦门新翼”)共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司(以下简称“士兰集宏”)增资41.50亿元并签署《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。
其中:士兰微认缴10亿元,厦门半导体集团认缴10亿元,厦门新翼认缴21.50亿元。本次增资前,士兰集宏由士兰微出资6000万元,100%持股,本次增资完成后,士兰集宏的注册资本将由0.60亿元增加至42.10亿元。增资完成后,厦门半导体投资集团、厦门新翼科技和士兰微三方对士兰集宏的持股比例分别为23.753%、51.0689%和25.1781%。
与此同时,根据士兰微与厦门市政府、厦门市海沧区政府签署的《战略合作框架协议》,士兰微与厦门半导体集团、厦门新翼于当日签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。
根据协议,士兰集宏将作为该项目的负责主体建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线。该项目分两期建设,一期投资规模约70亿元,新增8英寸SiC芯片3.5万片/月的生产能力,二期投资规模约50亿元,新增8英寸SiC芯片2.5万片/月的生产能力。
两期建设完成后,将在厦门市海沧区形成8英寸碳化硅功率器件芯片年产72万片的生产能力,培育一家符合国家集成电路产业发展规划、开展以第三代半导体功率器件研发、制造和销售为主要业务、具有国际化经营能力的半导体公司。
本次合作是继士兰集科“12英寸特色工艺芯片生产线”和士兰明镓“先进化合物半导体器件生产线”两大重要项目后,士兰微电子落地厦门的第三个重要项目。
审核编辑:刘清
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原文标题:120亿元, 士兰微投建8英寸SiC项目!
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