MPRA1C65-S61 650V 碳化硅功率模块详解
今天我们来讲一款FST SIC DIODE模块MPRA1C65-S61，这款SiC Module可以适用更高的开关频率，可忽略的反向恢复与开关损耗，大大的提高整机效率，可适当的减少散热器件体积。
模块采用带有散热片的S6小型封装，具有体积小、结构紧凑、功能强大、用户使用简单灵活的特点，是焊接切割设备，开关电源 充电设备等领域的理想功率模块。
快速参考数据:
650V/100A 碳化硅DIODE模块
反向重复峰值电压：600V
连续正向电流:100A
热阻：0.68℃/W
安装扭矩-端子：3±15%Nm
安装扭矩-散热器：5±15%Nm
模块大约重量：170g
特征：
绝缘耐压
端子与外壳之间外加交流电 1 分钟
封装形式:S6，
多种保护功能，包括欠压保护、过流保护、过温保护
故障状态报告输出线性温度感测输出
S6封装形式(Package Outline)：
应用：
焊接切割设备
开关电源
充电设备
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