滁州华瑞微电子科技成功获批一项名为“一种用于集成电路生产线的离子注入机”的专利,专利号CN117594405B,授权公布日期为2024年5月17日,申请时间是2023年11月20日。
该专利揭示了一款专用于集成电路生产线的离子注入机,属于半导体加工设备技术领域。该设备主要由支撑框架、离子注入机构、照射箱组件和扰流机构组成,同时配备吸尘除尘组件。通过优化照射箱组件并内置吸尘除尘组件,采用带有不干胶的弹性膜与扰流机构相结合,有效地减少了照射箱内的颗粒物,防止其影响离子的照射路径。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
集成电路
+关注
关注
5380文章
11379浏览量
360775 -
半导体
+关注
关注
334文章
26990浏览量
216040 -
生产线
+关注
关注
1文章
234浏览量
23708
发布评论请先 登录
相关推荐
SiC的离子注入工艺及其注意事项
离子注入是SiC器件制造的重要工艺之一。通过离子注入,可以实现对n型区域和p型区域导电性控制。本文简要介绍离子注入工艺及其注意事项。
源漏离子注入工艺的制造流程
与亚微米工艺类似,源漏离子注入工艺是指形成器件的源漏有源区重掺杂的工艺,降低器件有源区的串联电阻,提高器件的速度。同时源漏离子注入也会形成n型和p型阱接触的有源区,或者n型和p型有源区电阻,以及n型和p型多晶硅电阻。
日本住友重工将推出SiC离子注入机
住友重工离子技术公司,作为住友重工的子公司,计划在2025年向市场推出专为碳化硅(SiC)功率半导体设计的离子注入机。SiC制程虽与硅生产线有诸多相似之处,但由于其高硬度等独特性质,对生产设备提出了特殊要求。
住友重工2025年拟推碳化硅离子注入机
尽管SiC制造过程中的多数设备与常规硅类通用,但因其具备高硬度特性,需要专属设备支持,包括高级别的高温离子注入机、强效的碳膜溅射仪以及大规模的高温退火炉等。其中,能否拥有高温离子注入机被视为衡量SiC生产线水平的关键指标。
凯世通交付首台面向CIS的大束流离子注入机
据了解,到2024年第一季度为止,该公司已陆续向多个特定客户发出了多个离子注入机订单,单季度就完成了八台离子注入机的客户端上线工作,呈现出迅猛增长的发展态势,取得了良好开局。
离子注入涉及到的隧道效应为什么需要7°角?
隧道效应,又称沟道效应,对晶圆进行离子注入时,当注入离子的方向与晶圆的某个晶向平行时,其运动轨迹将不再是无规则的碰撞,而是将沿沟道(原子之间的缝隙)运动并且很少受到原子核的碰撞
万业企业助推凯世通获得批量采购订单
据业内人士透露,凯世通长期专注于该行业,产品已应用于逻辑、存储、功率等多个应用领域。他们所生产的低能大束流离子注入机和高能离子注入机已经实现了产业化突破,无论是工艺覆盖面,还是良品率,甚至产能,都处于业界领先位置
碳化硅离子注入和退火工艺介绍
统的硅功率器件工艺中,高温扩散和离子注入是最主要的掺杂控制方法,两者各有优缺点。一般来说,高温扩散工艺简单,设备便宜,掺杂分布轮廓为等向性,且高温扩散工艺引入的晶格损伤低。离子注入工艺复杂且设备昂贵,但它可独立控制掺杂元素的浓度和结深,虽然也会给衬底引入大量的点缺陷和扩展
离子注入仿真用什么模型
离子注入是一种重要的半导体工艺,用于在材料中引入离子,改变其物理和化学性质。离子注入仿真是对离子的注入过程进行建模和模拟,以帮助优化工艺参数
评论