尽管此前台积电坚称无需最新型ASML高数值孔径EUV光刻机仍能过得不错,但如今该公司似乎对此产生了动摇。台积电首席执行官此次悄悄造访ASML总部,暗示其态度出现转变。
宿敌英特尔则积极投身于新兴高数值孔径超紫外光刻领域,已有数台设备投入其芯片制造部门使用。据透露,英特尔正计划在即将推出的18A(1.8纳米)工艺节点中试行高数值孔径EUV光刻技术,并将其正式引入14A(1.4纳米)制造工艺。
相较而言,台积电公开宣称现有低噪声EUV光刻机可支撑至2026年。对于即将面世的A16工艺节点,该公司满足于通过工艺改良,如多重掩模提高生产效率及纳米片晶体管设计等方式提升产品性能。此外,台积电还依赖背面供电以增强其产品在人工智能任务中的表现。
值得关注的是,5月26日,台积电首席执行官魏哲家未出席2024年技术研讨会,反而秘密拜访了ASML位于荷兰的总部。
据Business Korea报道,从ASML首席执行官Christopher Fuke与通快集团首席执行官Nicola Leibinger-Kammüller的社交媒体动态中,我们得以窥见魏哲家此行的部分细节。
按照台积电原定计划,该公司预计在推出基于1.6纳米的产品之后,方才采纳高数值孔径EUV光刻技术。然而,魏哲家此次秘密访问ASML总部的举动令人惊讶,暗示台积电当前发展路径可能存在变数,或正在对未来运营策略进行全面审视。
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