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东芝半导体扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线

东芝半导体 来源:东芝半导体 2024-05-29 17:37 次阅读

通信基站是现代通信系统中的重要组成部分,数据中心也和网络通讯一样逐渐成为现代社会基础设施的一部分,对很多产业都产生了积极影响。其中,开关电源起着不可忽视的作用,它凭借稳定、可靠、高效的供电保证了整个通信基站和数据中心的正常运行。

东芝推出的三款80V N沟道功率MOSFET扩展产品均采用其最新一代“U-MOSX-H系列”工艺,适用于数据中心和通信基站等工业设备的开关电源(高效AC-DC转换器,高效DC-DC转换器等)、电机控制设备(电机驱动器等)。新产品采用表面贴装型SOP Advance(N)封装,“TPH3R008QM”漏源导通电阻(最大值)为3mΩ,“TPH6R008QM”为6mΩ,“TPH8R808QM”为8.8mΩ。

新产品降低了品质因数(FOM:表示为导通电阻×电荷特性),有助于降低设备功耗。以TPH3R008QM为例,与现有产品TPH4R008NH相比,其品质因数,即漏源导通电阻与总栅极电荷乘积约下降48%,漏源导通电阻与栅极开关电荷乘积约下降16%,漏源导通电阻与输出电荷乘积约下降33%。

产品主要特性如下

最新一代工艺U-MOSX-H系列

低导通电阻:

TPH3R008QM RDS(ON)=3mΩ(最大值)(VGS=10V)

TPH6R008QM RDS(ON)=6mΩ(最大值)(VGS=10V)

TPH8R808QM RDS(ON)=8.8mΩ(最大值)(VGS=10V)

高额定结温:Tch(最大值)=175°C

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主要规格

fcd3a62c-1d9e-11ef-b74b-92fbcf53809c.png      

未来东芝将继续扩大产品线,提供更加丰富的产品选型,帮助降低设备功耗。


审核编辑:刘清

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原文标题:东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线,助力降低电源功耗

文章出处:【微信号:toshiba_semicon,微信公众号:东芝半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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