在近日于比利时微电子研究中心(imec)举办的2024年全球技术论坛(ITF World 2024)上,AMD首席执行官苏姿丰透露了公司的最新技术动向。她表示,AMD将采用先进的三星3nm GAA(Gate-All-Around)制程技术来量产其下一代芯片。
苏姿丰强调,3nm GAA晶体管技术的采用将显著提升芯片的性能和效率。此外,封装和互连技术的改进也将使AMD的产品在成本效益和功耗效率方面更具优势。
这一消息无疑展示了AMD在半导体技术领域的持续创新和领先地位。随着新技术的引入,AMD的下一代芯片产品将为用户提供更加卓越的性能和体验。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
454文章
50502浏览量
422332 -
amd
+关注
关注
25文章
5453浏览量
133987 -
三星
+关注
关注
1文章
1507浏览量
31138
发布评论请先 登录
相关推荐
性能杀手锏!台积电3nm工艺迭代,新一代手机芯片交战
面向性能应当会再提升,成为联发科抢占市场的利器。高通虽尚未公布新一代旗舰芯片骁龙8 Gen 4亮相时间与细节。外界认为,该款芯片也是以台积电3nm制
可穿戴芯片进阶至3nm!Exynos W1000用上了面板级封装,集成度更高
的节奏,发布了Exynos W1000,这也是业内首款采用3nm GAA工艺制程的可穿戴设备芯片,将首搭在Galaxy Watch 7上。
三星首款3nm可穿戴设备芯片Exynos W1000发布
在科技日新月异的今天,三星再次以其卓越的创新能力震撼业界,于7月3日正式揭晓了其首款采用顶尖3nm GAA(Gate-All-Around)
三星3nm芯片良率低迷,量产前景不明
近期,三星电子在半导体制造领域遭遇挑战,其最新的Exynos 2500芯片在3nm工艺上的生产良率持续低迷,目前仍低于20%,远低于行业通常要求的60%量产标准。这
台积电3nm工艺稳坐钓鱼台,三星因良率问题遇冷
近日,全球芯片代工领域掀起了不小的波澜。据媒体报道,台积电在3nm制程的芯片代工价格上调5%之后,依然收获了供不应求的订单局面。而与此同时,韩国的三
消息称三星第二代3nm产线将于下半年开始运作
三星电子近日宣布,将在7月的巴黎Galaxy Unpacked活动中,向全球展示其最新研发的3nm技术芯片Exynos W1000。这款尖端芯片将首次应用于
三星电子开始量产其首款3nm Gate All Around工艺的片上系统
据外媒报道,三星电子已开始量产其首款3nm Gate All Around(GAA)工艺的片上系统(SoC),预计该芯片预计将用于Galax
三星携手高通共探2nm工艺新纪元,为芯片技术树立新标杆
三星与高通的合作正在不断深化。高通计划采纳三星代工工厂的尖端全栅极(GAA)工艺技术,以优化和开发下一代ARM Cortex-X CPU。
三星与Arm携手,运用GAA工艺技术提升下一代Cortex-X CPU性能
三星继续推进工艺技术的进步,近年来首次量产了基于2022年GAA技术的3nm MBCFET ™ 。GAA技术不仅能够大幅减小设备尺寸,降低供
三星扩大与Arm合作,优化下一代GAA片上系统IP
三星方面确认,此举目的在于提升无晶圆厂商使用尖端GAA工艺的可能性,并缩减新品开发周期及费用。GAA被誉为下一代半导体核心技术,使晶体管性能得以提升,被誉为代工产业“变革者”。
三星3nm良率 0%!
来源:EETOP,谢谢 编辑:感知芯视界 Link 近期韩媒DealSite+报道,表示三星的3nm GAA生产工艺存在问题,在尝试生产适用于Galaxy S25 /S25+手机的Exynos
三星电子在硅谷设立新实验室,开发下一代3D DRAM芯片
三星电子近日宣布,已在美国硅谷开设一个新的研发(R&D)实验室,专注于下一代3D DRAM芯片的开发。这
三星启动二代3纳米制程试制,瞄准60%良率
台积电是全球领先的半导体制造企业,也是三星的主要竞争对手。双方都在积极争取客户,并计划在上半年实现第二代3纳米GAA架构
联发科天玑9400将采用台积电N3(3nm)平台,预计2024年下半年上市
另外一位泄密者透露称,天玑9400计划于2024年2月份开始量产,而潜在终端用户包括OPPO、vivo以及小米等知名品牌。值得注意的是,据悉高通的下一代骁龙8Gen4
评论