AMD计划采用三星3nm GAA制程量产下一代芯片
在近日于比利时微电子研究中心（imec）举办的2024年全球技术论坛（ITF World 2024）上，AMD首席执行官苏姿丰透露了公司的最新技术动向。她表示，AMD将采用先进的三星3nm GAA（Gate-All-Around）制程技术来量产其下一代芯片。
苏姿丰强调，3nm GAA晶体管技术的采用将显著提升芯片的性能和效率。此外，封装和互连技术的改进也将使AMD的产品在成本效益和功耗效率方面更具优势。
这一消息无疑展示了AMD在半导体技术领域的持续创新和领先地位。随着新技术的引入，AMD的下一代芯片产品将为用户提供更加卓越的性能和体验。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
449文章
48565浏览量
413048 -
amd
+关注
关注
25文章
5276浏览量
132969 -
三星
+关注
关注
0文章
1298浏览量
30441
发布评论请先 登录
相关推荐
三星电子开始量产其首款3nm Gate All Around工艺的片上系统
据外媒报道，三星电子已开始量产其首款3nm Gate All Around（GAA）工艺的片上系统（SoC），预计该芯片预计将用于Galax
三星扩大与Arm合作，优化下一代GAA片上系统IP
三星方面确认，此举目的在于提升无晶圆厂商使用尖端GAA工艺的可能性，并缩减新品开发周期及费用。GAA被誉为下一代半导体核心技术，使晶体管性能得以提升，被誉为代工产业“变革者”。
联发科天玑9400将采用台积电N3（3nm）平台，预计2024年下半年上市
另外一位泄密者透露称，天玑9400计划于2024年2月份开始量产，而潜在终端用户包括OPPO、vivo以及小米等知名品牌。值得注意的是，据悉高通的下一代骁龙8Gen4芯片同样考虑
传AMD下一代芯片将采用台积电3nm及三星4nm制程
有报道称amd将利用4纳米技术将部分生产转移到三星，但具体交易规模尚未公开。新报道称，amd可能会使用三星vender工厂测试三星vende
三星为新客户代工3nm服务器芯片：GAA结构，SiP封装
半导体设计公司ad technology于10月10日宣布，与海外客户签订了利用gaa（全环绕栅极）结构的3nm基础2.5d服务器芯片设计合同，并委托三星进行设计。使用sip封装工艺整
三星3nm GAA完整晶圆遭遇难产，良率仅50%
三星向中国客户提供了第一个3nm gaa，但新的报告显示，这些芯片的实际形态并不完整，缺乏逻辑芯片的sram。据悉，由于很难生产出完整的3纳
高通或成为台积电3nm制程的第三家客户
苹果已经发布了基于台积电3nm制程的A17 Pro处理器。最近，有消息称，高通的下一代5G旗舰芯片也将采用台积电
突破！国产3nm成功流片，预计明年量产
据21ic了解，联发科技2022年11月发布的“天玑9200”旗舰芯片，首次采用了台积电第二代4nm制程工艺；而即将在今年下半年发布的“天玑9300”，据说仍会
联发科台积电3nm天玑旗舰芯片成功流片 或为“天玑9400”
已成功流片。 3NM制程天玑旗舰芯片量产时间预计在2024年，2024年下半年会正式上市。业内估计3NM的MediaTek旗舰
发表于 09-08 12:36
•1560次阅读
三星3nm GAA正式商业量产 首家客户及芯片型号被曝光
大约一年前，三星正式开始采用其 SF3E（3nm 级、早期全栅）工艺技术大批量生产芯片，但没有无晶圆厂芯片设计商证实其产品使用了该节点。
三星电子2nm制程工艺计划2025年量产 2027年开始用于代工汽车芯片
外媒在报道中提到，根据公布的计划，三星电子将在2025年开始，采用2nm制程工艺量产移动设备应用
工商网监
评论