三星电子加紧推进eMRAM制程升级，预计2027年推出5nm工艺

三星电子日前在韩国举行的“AI-PIM 研讨会”上透露，公司正在按计划提升 eMRAM 内存制造工艺，当前已基本完成 8nm eMRAM 的研发。

作为新一代存储器，MRAM（磁阻随机存取存储器）利用磁效应保存信息，无需频繁刷新且更加节能高效。与传统的 DRAM 相比，MRAM 的写入速度可达到 NAND 的 1000 倍，适用于高写入速率的应用场景。

针对嵌入式市场的 eMRAM，三星电子现已具备 28nm eMRAM 的生产能力，并已开始为智能手表等设备供应此类产品。

据2023 年的报道，三星电子曾宣布计划于 2024 年量产 14nm eMRAM，2026 年量产 8nm eMRAM，并预计在 2027 年实现 5nm eMRAM 的量产。

截至目前，三星电子已经成功研发出 14nm eMRAM，8nm eMRAM 的研发工作也接近尾声，公司仍计划在 2027 年推出 5nm eMRAM。

此外，三星电子预测未来汽车领域对 eMRAM 的需求将会持续增加，因为其产品能够承受高达 150~160℃的温度，完全符合汽车行业对半导体的严格标准。