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英飞凌携手海鹏科技,技术创新引领分布式能源未来

英飞凌工业半导体 2024-05-31 08:14 次阅读

2024年5月,中国上海讯——近日,英飞凌宣布与海鹏科技达成合作,在海鹏科技全系列产品中全面使用英飞凌功率半导体器件以及EiceDRIVER栅极驱动。英飞凌将为海鹏科技最近发布的全新一代HPT Pro 3~15kW三相并网逆变器系列产品提供1200V TRENCHSTOP IGBT7系列,业内领先的1200V CoolSiC MOSFET功率器件,以及配套使用的EiceDRIVER隔离型栅极驱动,助力海鹏科技继续在分布式能源领域的技术领先,共同探索绿色能源技术与应用的新前沿。

作为功率半导体领域的佼佼者,英飞凌不断通过技术创新为市场带来高性能、高可靠性的产品。1200V CoolSiC MOSFET采用了先进的沟槽栅半导体工艺,不仅提升了栅极氧化层的可靠性,更在功率密度和转换效率上达到了行业领先的性能水平。这意味着在相同的尺寸下,它能够提供更为充沛的能量,为各类应用提供了更强大的动力支持。

最新推出的TRENCHSTOP IGBT7 H7单管系列,再次向市场证明了英飞凌的技术实力。该系列产品在损耗、产品一致性以及防潮等方面均延续着英飞凌一贯的卓越表现,在确保系统可靠性的同时,极大地提升了变流器的整体效率和功率密度,一经面世即引起市场的广泛关注,迅速成为光伏和储能逆变器应用的行业新宠。

得益于英飞凌1200V CoolSiC MOSFET以及TRENCHSTOP IGBT7系列功率半导体器件的优越性能和先进工艺,海鹏科技全新一代HPT Pro 3~15kW三相并网逆变器系列产品,在继续保持产品高可靠性的基础上,最大功率从12kW升级到15kW的同时,实现了体积和重量的显著优化,体积减少11%,重量减轻15%,大幅提升了产品的功率密度。同时,英飞凌功率器件出色的高效能量转换,以及低损耗的特性为逆变器的高效运行提供了有力保障,不仅助力HPT Pro最大转换效率提升至98.6%,达到行业顶尖水平,并且实现了在更小尺寸上更高的功率容量和更大的PV电流处理能力,更好地满足了市场对高功率密度逆变器的迫切需求。

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海鹏科技全新一代HPT Pro 3~15kW三相并网逆变器系列产品

英飞凌科技高级副总裁,工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉先生表示:

“英飞凌致力于通过技术创新,为行业带来更多高性能,高可靠性的创新产品,为相关行业的发展注入源源不断的新动力。与海鹏科技的合作,是应用技术和产品创新的有效结合,通过与优秀伙伴的紧密合作,英飞凌能够更好地理解市场需求,将创新技术转化为实际应用,为客户提供更为完善的解决方案,共同推动相关行业的持续发展和迭代升级。”

海鹏科技CEO周辉杰和CTO廖小俊表示:

“英飞凌是功率半导体领域的引领者,更是海鹏科技长期以来值得信赖与尊敬的合作伙伴。一直以来,依托英飞凌先进的产品解决方案与技术实力,尤其是其业界领先的功率半导体器件,我们产品的性能、效率、可靠性得到充分的保证,技术想象力也得到了充分的发挥,走在应用技术的最前沿。这种卓越合作不仅推动了我们的科技创新,也为客户提供了更优越的解决方案。我们期待未来与英飞凌一起,继续在清洁能源技术革新的道路上探索新的可能。”

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