使用FET的低压晶体振荡器电路
我们可以很容易地使用FET和晶体来产生频率作为低压晶体振荡器电路，1.5V-10V电源。
它只能在 1.5 V 的电源电压和 100 kHz 至 10 MHz 的晶振频率下工作。
晶体连接到 FET-T1 BF256 的漏极和栅极之间。它以并联线圈形式在共振模式下运行。
电感L1的频率稳定性更好，可以在很宽的频率范围内使用晶体，虽然晶体不合适，但也可以工作。
使用FET的低压晶体振荡器电路
电容器 C1 与晶体连接，作为 180 度返回相位的“填充物”，到 FET 的输入端。输出将由 T2 缓冲。
该设计电路经过测试，可在 100 kHz、1 MHz、4 MHz、8 MHz 和 10 MHz 的频率下运行，最低电压仅为 1.5 V。
您需要的零件
T1：BF256 FET 晶体管
T2：BC147 NPN 晶体管
C1：1nF 50V （0.001uF） 陶瓷电容器
C2：22nF 50V （0.022uF） 陶瓷电容器
X‘t：100K-10MHz 晶振
R1：4.7M 0.25W电阻
R2：220欧姆 0.25W电阻
审核编辑：陈陈
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