在全球高带宽内存(HBM)市场竞争日益激烈的背景下,美光(Micron)近日宣布了其雄心勃勃的市场拓展计划。该公司预计,在2024会计年度,将抢下HBM市场超过20%的份额,而到2025会计年度末,市占率更是计划挑战25%的高位。
据市场研究机构TrendForce的数据,当前全球HBM市场中,SK海力士的市占率处于领先地位,预计将达到53%,而三星紧随其后,市占率为38%。相比之下,美光的市占率仅为9%,但该公司显然不满足于现状,正全力追求市场份额的增长。
要实现这一目标,美光需要在技术和产能两个方面持续加大投入。技术领先性是确保产品竞争力的关键,美光需要不断研发创新,提升HBM的性能和可靠性,以满足人工智能等前沿应用对于高带宽、低延迟内存的需求。同时,产能的支持也是必不可少的,美光需要扩大生产规模,提高生产效率,以确保能够按时交付高质量的产品。
展望未来,随着人工智能技术的不断发展和应用,HBM市场的需求量将持续增长。美光凭借其强大的研发实力和不断扩大的产能,有望在未来几年内实现市占率的显著提升,成为全球HBM市场的重要参与者。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
内存
+关注
关注
8文章
2800浏览量
73119 -
美光
+关注
关注
5文章
682浏览量
51234 -
HBM
+关注
关注
0文章
287浏览量
14558
发布评论请先 登录
相关推荐
美光科技计划扩大HBM生产,或将在马来西亚建厂
据知情人士透露,全球知名的半导体企业美光科技正积极布局高带宽存储器(HBM)市场。该公司不仅在美国本土建设了先进的高带宽存储器测试生产线,还计划扩建位于爱达荷州博伊西总部的HBM相关研
中国AI芯片和HBM市场的未来
然而,全球HBM产能几乎被SK海力士、三星和美光垄断,其中SK海力士占据AI GPU市场80%份额,是Nvidia HBM3内存独家供应商,且已于今年3月启动HBM3E量产。
台积电准备生产HBM4基础芯片
在近日举行的2024年欧洲技术研讨会上,台积电透露了关于HBM4基础芯片制造的新进展。据悉,未来HBM4将采用逻辑制程进行生产,台积电计划使用其N12和N5制程的改良版来完成这一任务。
三星电子组建HBM4独立团队,力争夺回HBM市场领导地位
具体而言,现有的DRAM设计团队将负责HBM3E内存的进一步研发,而三月份新成立的HBM产能质量提升团队则专注于开发下一代HBM内存——HBM
英伟达CEO赞誉三星HBM内存,计划采购
提及此前有人预测英伟达可能向三星购买HBM3或HBM3E等内存,黄仁勋在会上直接认可三星实力,称其为“极具价值的公司”。他透露目前已对三星HBM内存进行测试,未来可能增加采购量。
深圳市24年,实现鸿蒙原生应用数占全国总量10%以上
行动计划》
深圳市提出在鸿蒙原生应用发展上的具体目标:在2024年内实现深圳市鸿蒙原生应用数量占全国总量10%以上;深圳
发表于 03-04 21:42
Hanmi半导体与三星电子讨论HBM供应链,扩大客户群和市场份额
美国IT企业投资规模的加大使得HBM市场迅速成长。预计至2024年,HBM供应紧缺问题将愈发严重。对此,三星计划于2023年末和2024年初供应第四代
Rambus通过9.6 Gbps HBM3内存控制器IP大幅提升AI性能
为增强AI/ML及其他高级数据中心工作负载打造的 Rambus 高性能内存 IP产品组合 高达9.6 Gbps的数据速率,支持HBM3内存标准的未来演进 实现业界领先的1.2 TB/s以上内存吞吐量
发表于 12-07 11:01
•163次阅读
英伟达HBM3e 验证计划2024 Q1完成
HBM4 预计将于 2026 年推出,具有针对英伟达和其他 CSP 未来产品量身定制的增强规格和性能。在更高速度的推动下,HBM4 将标志着其最底部逻辑芯片(基础芯片)首次使用 12 纳米工艺晶圆,由代工厂提供。
发表于 11-28 09:45
•341次阅读
光伏逆变器浅析及选型参考
知名逆变器品牌正保持快速增长,其出货量及全球市场占有率也在稳步提升。2022年,全球光伏逆变器前五企业分别是阳光电源、华为、古瑞瓦特、锦浪科技和SMA。2023
发表于 11-21 16:07
HBM的崛起!
时任AMD CEO的苏姿丰表示,HBM采用堆叠式设计实现存储速度的提升,大幅改变了GPU逻辑结构设计,DRAM颗粒由“平房设计”改为“楼房设计”,所以HBM显存能够带来远远超过当前GD
评论