在近日结束的ISPSD2024征稿评比中,安建半导体凭借其在碳化硅领域的卓越技术实力,成功脱颖而出,荣获口头报告机会。此次评比中,口头报告的录取率仅为12.4%,竞争激烈,但安建半导体凭借独立研发的成果,再次证明了其技术和创新能力。
第36届功率半导体器件和集成电路国际研讨会于2024年6月2日至6日在德国不来梅盛大举行。安建半导体研发经理刘永博士受邀出席此次盛会,并发表关于1200V级SiC器件技术突破的口头报告。这一报告不仅展示了安建半导体在碳化硅器件领域的最新研究成果,也彰显了其作为行业领军者的技术实力。
自成立以来,安建半导体一直致力于碳化硅产品的技术创新与研发。公司建立了完整的器件设计、测试、可靠性验证管理系统,为产品的质量和性能提供了坚实的保障。此次在国际研讨会上的亮相,再次证明了安建半导体在碳化硅领域的技术领先地位。
未来,安建半导体将继续秉持创新精神,深耕碳化硅领域,为全球客户提供更优质的产品和服务,推动功率半导体行业的持续发展。
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