传三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成

近日，据韩国媒体报道，三星在其1b nm（即12nm级）DRAM内存生产过程中遇到了良率不足的挑战。目前，该制程的良率仍低于业界一般目标的80%~90%，仅达到五成左右。为了应对这一局面，三星已在上月成立了专门的工作组，致力于迅速提升良率。

值得一提的是，三星的12nm级制程在DRAM内存领域具有显著优势。特别是32Gb的颗粒容量，使得三星能够在不使用TSV（Through Silicon Via）工艺的情况下，生产出高达128GB容量的高密度DDR5 RDIMM内存条。相较于采用TSV技术的3DS DIMM内存，这种常规内存条在功耗上减少了10%，同时制造成本也显著降低。

因此，三星对12nm级制程的32Gb DDR5内存颗粒寄予厚望，视其为未来的主力产品。为了确保这一战略的实现，三星不仅成立了专门工作组，还决定积极扩大12nm级DRAM的产量。据悉，未来华城15和平泽P2晶圆厂将成为这一产品的主要生产基地。

目前，平泽P2晶圆厂主要生产1z nm内存，但三星计划对该厂进行工艺升级，以适应12nm级DRAM的生产需求。随着三星对良率提升和产量扩大的不断努力，我们有理由期待其在未来DDR5内存市场上取得更大的成功。