电子科大&中南大学：研发大范围、高线性、快响应的纳米机电谐振式气压传感器

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【电子科大&中南大学：研发大范围、高线性、快响应的纳米机电谐振式气压传感器】

近日，电子科技大学王曾晖教授、夏娟研究员团队与中南大学周喻教授团队合作报道了基于非层状二维材料β-In2S3的超高频谐振式纳米气压传感器，实现了宽量程（从10-3 Torr直至大气压）、高线性（非线性程度仅为0.0071）和快响应（内禀响应时间低于1微秒）的优异传感性能。研究人员还阐明了纳米机电谐振器的频率设计规律，并成功实验测定了材料弹性模量和器件内应力，为基于二维非层状材料的新型低维纳米器件的晶圆级设计与集成赋能。该成果近日发表于InfoMat期刊，论文的通讯作者还包括电子科技大学朱健凯博士（中国微米纳米技术学会首届优秀博士论文奖获得者）。

二维非层状材料具有应用于纳米机电结构中的潜力，并因其独特的物理特性和表面活性，有望进一步实现性能优异的传感器件。然而，由于纳米机电器件对于材料稳定性和导电性等方面的要求，以及器件制备的难度，这一极具前景的应用范式一直未得到探索。近日，该团队研究人员利用β-In2S3这一具备高载流子迁移率和适中带隙的二维非层状半导体，制备了一系列工作频率在超高频频段的纳米机电谐振器，实现的气压传感性能在同类器件中暂居最优。

研究人员利用圆形纳米鼓膜（图1A−C）的动态响应考察器件弹性特征。通过自主设计并优化的激光干涉位移测量系统，有效地表征了纳米谐振器的超高频段频域动态响应（图1D）。为验证β-In2S3纳米谐振器的气压传感性能，研究人员在10-4 Torr至大气压的宽气压范围内不间断追踪器件动态响应，并分析了谐振频率和质量因子的调控机制。研究表明，谐振频率随气压增加而线性增长，响应度高达259.77 ppm/Torr（即每Torr气压变化将引入高达2.328 KHz的频偏），而非线性程度仅为0.0071，揭示了该传感器的优异响应性能（图1E）。此外，耗散因子随气压增加引入的额外空气阻尼呈下降趋势，理论分析表明该传感器在大气压下的响应速度可达0.95微秒。

图1. (A−C)二维β-In2S3纳米机电谐振器的(A)结构示意图、(B)器件显微图及(C)电镜图；(D)谐振器的基模谐振响应实验数据（蓝线）及模型拟合（红线）；(E)谐振频率与耗散因子受腔室气压的调控关系（部分气压范围）。

研究人员制备并测试了24个不同厚度和尺寸的β-In2S3纳米谐振器，它们工作频率遍布8.48 MHz至89.97 MHz的宽频率范围（图2A），并呈现与厚度相关的耗散机制（图2B）。通过对谐振器本征频率的理论分析，研究人员提出了不同器件几何所对应的器件弹性特征的分区规律，并在实验数据上得到验证。该研究还确定了β-In2S3材料的杨氏模量（45 GPa）和内建应力（约0.5 N/m内），为基于二维非层状材料的新型纳米机电器件的设计、分析、调控和应用提供了坚实的理论基础。

图2. β-In2S3纳米谐振器的性能及频率设计规律图。(A)实测的基模谐振频率（散点）及理论分析得到的频率设计规律（实线及阴影）；(B)从实验数据中提取的耗散因子（Q）与器件尺寸的关系图。

【三星公布新芯片工艺节点：2nm工艺SF2Z将于2027年大规模生产】

当地时间6月12日，三星电子在加州圣何塞的设备解决方案美国总部举办三星晶圆代工论坛(Samsung Foundry Forum, SFF)，公布了其最新代工技术路线图和成果。

三星公布了两个新工艺节点，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工艺，采用背面电源输送网络（BSPDN）技术，计划在2027年大规模生产。SF4U则是4nm工艺变体，通过结合光学缩放技术改进功率、性能和面积（PPA），该工艺计划于2025年量产。

此外，三星重申，公司对SF1.4（1.4nm）的准备工作进展顺利，正在按计划达成性能和量产目标，预计该工艺将于2027年量产。

【“同济系”与全球500强企业霍尼韦尔签约！】

同驭汽车介绍，此次签约合作，双方将结合同驭汽车领先的线控底盘技术与霍尼韦尔的尖端传感技术，合作开发可靠、智能、高效的线控底盘创新解决方案，共同推进汽车产业技术创新与智能底盘技术发展。

据了解，同驭汽车是中国汽车智能底盘系统一级供应商，从事“新一代线控底盘关键技术”的研发和产业化，是全球极少数具备线控制动系列产品量产能力的公司之一。企业成立于2016年，是同济大学在嘉定校区培育的具有自主研发能力的高科技企业，目前拥有上海嘉定、江西宜春两大基地，以及南京研发分中心。企业已建成年产能150万套智能制动系列产品的智能制造工厂，位于嘉定的总部、研发中心、营销中心和生产基地项目也即将开工。

霍尼韦尔公司旗下的智能工业科技集团提供行业领先的自动化控制系统、自动识别设备及软件、全面的个人防护设备、气体探测仪器仪表、定制传感器和开关以及热能综合解决方案等，通过技术创新助力可持续发展和数字化转型，为企业打造竞争优势并优化运营绩效。目前，霍尼韦尔所有业务集团均已落户中国，其亚太区总部设在上海。

【豪威新传感器曝光：一英寸大底 小米和荣耀已开始测试】

6月11日，CNMO了解到，博主“智慧皮卡丘”爆料称，豪威系列即将迎来新的传感器产品，拥有大底设计，更是配备了“真一英寸”规格。目前，小米和荣耀已经开始了相关测试工作。更令人期待的是，博主表示，新传感器的功耗也有所提升，预示着其性能将更为出色。从博主带的“词条”来看，小米15有望搭载该传感器。

在豪威集团目前的产品线中，最新的传感器型号为“OV50K40”。这款传感器采用了全球首创的TheiaCe技术，单次曝光能力接近人眼级别的动态范围。具体参数方面，OV50K40拥有5000万像素和1/1.3英寸的大底，像素面积达到了1.2微米。同时，它还支持像素四合一输出1250万像素，以及四相位检测（QPD）和2x2相位检测自动对焦（PDAF）功能，具备超快的自动对焦性能。

在视频拍摄方面，OV50K40同样表现出色。它支持120帧/秒和60帧/秒（HDR）的视频录制，并且支持完整的5000万像素拜耳输出，为用户带来优质的8K视频和2倍裁切变焦功能。

另外，据博主“体验more”的爆料，小米15 Pro将配备一套强大的影像系统。该系统包括5000万主摄、5000万超广角和5000万3倍潜望长焦，其中主摄正是采用了豪威集团的OV50K传感器。该传感器将为小米15 Pro的影像表现增添不少亮点。