SK海力士扩大1b nm DRAM产能以应对HBM3E需求

据韩国媒体报道，为了应对市场对高性能HBM3E（高带宽内存第三代增强版）内存的激增需求，全球知名半导体制造商SK海力士已决定大幅增加其1b nm制程DRAM内存产能。这一战略决策旨在确保公司能够稳定供应高质量内存产品，同时进一步巩固其在全球半导体市场的领先地位。

HBM内存因其高带宽和低延迟特性，在高性能计算、人工智能等领域拥有广泛的应用。然而，与标准内存相比，HBM内存对DRAM裸片的消耗量巨大。为了解决当前HBM内存供应紧张的问题，SK海力士决定加大1b nm制程DRAM的产能投入。

根据SK海力士的计划，到今年年底，该公司计划将1b nm内存晶圆的投片量增至9万片。而到了明年上半年，这一数字将进一步增加到14至15万片。为了实现这一目标，SK海力士将对其位于京畿道利川市的M16内存晶圆厂进行升级，以满足1b nm工艺的生产需求。

业内专家表示，SK海力士此次扩大1b nm DRAM产能的举措，不仅有助于缓解HBM内存供应紧张的问题，同时也将为公司带来更高的利润和更广阔的市场前景。在全球半导体市场持续火热的背景下，SK海力士的这一战略决策无疑将进一步巩固其在市场中的竞争地位。