在半导体技术的浪潮中,上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)以其卓越的研发实力和不懈的创新精神,再次书写了行业的新篇章。近日,瞻芯电子基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品(IV3Q12013T4Z)成功通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证,这一里程碑式的成果标志着瞻芯电子在SiC MOSFET领域的技术实力达到了新的高度。
SiC MOSFET作为新一代半导体功率器件,以其低损耗、高可靠性、耐高温等特性,在新能源汽车、智能电网等领域展现出广阔的应用前景。瞻芯电子此次通过AEC-Q101测试认证的SiC MOSFET产品,不仅满足了汽车行业对元器件性能的高标准要求,更为车载电驱动系统提供了更为可靠、高效的解决方案。
值得一提的是,瞻芯电子的第三代1200V SiC MOSFET工艺平台已经正式进入量产阶段。该平台基于先进的工艺技术,能够生产出性能更加优异、可靠性更高的SiC MOSFET产品。随着该平台的量产,瞻芯电子将能够推出更多符合市场需求、满足客户需求的第三代SiC MOSFET产品,进一步巩固其在SiC MOSFET领域的领先地位。
目前,瞻芯电子已经推出了三款基于第三代1200V SiC MOSFET工艺平台的产品:IV3Q12013T4Z、IV3Q12013BA和IV3Q12013BD。这些产品以其卓越的性能和可靠性,受到了多家车载电驱动客户的青睐,并成功获得了项目定点。这不仅是瞻芯电子技术实力的体现,更是其市场影响力不断扩大的有力证明。
瞻芯电子的成功并非偶然。多年来,公司一直致力于SiC MOSFET技术的研发和应用,不断投入大量的人力、物力和财力,积累了丰富的技术经验和市场资源。同时,瞻芯电子还积极与产业链上下游企业合作,共同推动SiC MOSFET技术的发展和应用。
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