SK启方半导体计划年底完成650V GaN HEMT开发工作

在半导体技术的浪潮中，韩国8英寸晶圆代工厂SK启方半导体（SK keyfoundry）近日宣布了一项重大技术突破——已确保新一代功率半导体GaN（氮化镓）的关键器件特性。这一里程碑式的进展不仅彰显了公司在半导体领域的深厚实力，也预示着GaN技术的广阔应用前景。

据悉，SK启方半导体一直致力于GaN技术的研发与创新。自2022年起，公司便成立了专职团队，全力以赴地投入到GaN工艺的开发工作中。经过长时间的努力和精心研究，该团队成功得到了650V GaN HEMT的新器件特性，并计划在今年年底前完成全部开发工作。

这一成果的取得，无疑为SK启方半导体在功率半导体领域的发展注入了强大的动力。硅基650V GaN HEMT产品的推出，将极大地满足快速充电适配器、LED照明、数据中心、ESS以及太阳能微型逆变器等市场的无晶圆厂客户对于优质产品的需求。同时，公司也将借此机会，进一步拓展市场份额，巩固其在功率半导体领域的领先地位。

SK启方半导体在积极寻求新客户的同时，也计划向现有功率半导体工艺客户推广这一技术。对于那些对650V GaN HEMT技术感兴趣的客户来说，这将是一个不可多得的机会。公司希望通过与这些客户的紧密合作，共同推动GaN技术的广泛应用和产业化进程。

展望未来，SK启方半导体将以650V GaN HEMT为基础，打造一系列丰富的GaN产品组合。这些产品将涵盖不同电压范围，为GaN HEMT和GaN IC提供多样化的选择。通过不断的技术创新和产品升级，公司将致力于为客户提供更加高效、可靠、稳定的功率半导体解决方案。

总的来说，SK启方半导体在GaN技术领域的突破，不仅展示了公司在半导体研发方面的强大实力，也彰显了其对于技术创新和市场需求的敏锐洞察力。随着GaN技术的不断发展和应用，我们有理由相信，SK启方半导体将在功率半导体领域取得更加辉煌的成就。同时，我们也期待看到更多像SK启方半导体这样的企业，在半导体技术的道路上不断探索和创新，为推动全球半导体产业的繁荣发展做出更大的贡献。