新品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展
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采用1200V SiC M1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展
1200V的62mm CoolSiC MOSFET半桥模块现已上市。由于采用了M1H芯片技术，模块在VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口方面性能得到了改善。现可提供2.9mΩ 1200V新规格，带或不带热界面材料(TIM)。
相关产品：
FF3MR12KM1H 2.9mΩ，
1200V 62mm半桥模块
FF3MR12KM1HP 2.9mΩ，
1200V 62mm半桥模块 预涂TIM
产品特点
集成体二极管，优化了热阻
卓越的栅极氧化层可靠性
抗宇宙射线能力强
应用价值
按照应用苛刻条件优化
更低的电压过冲
导通损耗最小
高速开关，损耗极低
对称模块设计实现对称的上下桥臂开关行为
标准模块封装技术确保可靠性
62毫米高产量生产线的生产
竞争优势
通过碳化硅扩展成熟的62毫米封装的产品，以满足快速开关要求和低损耗的应用。
电流密度最高，防潮性能强
应用领域
储能系统
电动汽车充电
光伏逆变器
UPS
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发表于 11-09 14:15
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