英飞凌致力于通过其创新的宽禁带(WBG)半导体技术推进可持续能源解决方案。本次英飞凌宽禁带论坛将首次展出多款CoolSiC创新产品,偕同英飞凌智能家居方案,以及电动交通和出行方案在Electronica China 2024(慕尼黑上海电子展)4号展馆共同亮相,小编先带你一睹为快!
7月9日
英飞凌将携宽禁带整体解决方案相约论坛
展台设立三大核心区域
绿色能源和工业区域
2000V CoolSiC MOSFET及
二极管首次公开亮相
英飞凌于今年推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的CoolSiC MOSFET分立器件,其开关损耗低,采用TO-247PLUS-4-HCC封装,爬电距离为14mm,电气间隙为5.4mm。适用于1500VDC的光伏组串逆变器、储能系统和电动汽车充电等应用。此外,最新推出的2000V 40A CoolSiC二极管也将在展台同步亮相。欢迎到现场一探究竟!
新一代CoolSiC MOSFET G2产品
正式揭开神秘面纱
英飞凌于今年重磅推出新一代CoolSiC MOSFET Gen2技术。与上一代产品相比,全新的CoolSiC MOSFET 650V和1200V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下,将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%。值得一提的是,该产品具有业界最低的Rds(on)导通电阻,单个单管封装可低至7 mΩ。该技术在保证低导通电阻的同时,承诺2μs的短路能力,在业界遥遥领先。此外,新一代CoolSiC MOSFET Gen2技术的最大工作结温直接提升到200摄氏度,相较于第一代产品有了显著的提升。
全面展示Easy SiC模块产品系列
呈现完整产品线阵容
英飞凌Easy模块具有可扩展性和灵活性,Easy 1B和2B模块已上市多年,应用十分广泛。为了确保以同样模块高度设计更高功率的系统,英飞凌进一步开发了Easy 3B和4B模块。这两款封装可以带来更高的功率、更大的电流,采用1200V CoolSiC MOSFET芯片,以更好地满足新兴应用的要求。目前,1200V CoolSiC MOSFET M1H Easy模块拥有丰富的拓扑结构,包括半桥、全桥、三相桥、三电平以及boost。其中半桥的Easy3B模块,最小Rds(on)为2mΩ。本次展台将首次展示最完整的Easy碳化硅产品线全阵容。
智能家居区域
GaN产品组合
240W单端口HFB + GaN参考设计
3kW 高效无桥图腾柱PFC评估板
3KW 高效率LLC谐振变换器评估板
雷蛇 280W 氮化镓充电器
英飞凌中压氮化镓马达驱动方案
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智能电磁炉
英飞凌的产品组合,涵盖了设计高端电磁炉所需的一切解决方案。先进的组件包括微控制器、IGBT、栅极驱动器、电流传感器、HMI、麦克风和连接,让您更快地完成开发。这款全功能入门套件的先进功能可确保您的电磁炉解决方案在未来几年内保持领先地位。
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维也纳PFC方案
英飞凌使用低成本高性能的XMC MCU与Easy PIM模块相结合,实现了高效低成本的维也纳PFC方案。
关键器件:
FS3L35R07W2H5_C56: Infineon EasyPIM module, 35A/1200V/650V
1EDI20I12MF: 3x Infineon isolate gate driver
XMC1402-T038X0064: Infineon 32bit XMCMCU
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Magic Leap 2
Magic Leap 2的核心优势之一是采用了由英飞凌科技股份公司和湃安德(pmd)共同研发的3D间接飞行时间(iToF)深度传感技术。
英飞凌和湃安德共同开发的飞行时间技术,可实时创建精确的环境3D图以及人脸、手部细节或物体的3D图像。
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LED矩阵上的雷达手势感应演示
用于智能建筑和智能家居的手势感应 (1m, Jorjin, SOM)
主要优势:
方向、接近和速度探测
隐藏安装能力
在恶劣天气条件下(温度、光线、雨水)保持正常工作
运动跟踪
幻像目标抑制
目标定位:适应不同的应用需求,在三维空间中精确定位多个目标
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PSOC Edge“火箭飞船着陆器”
PSOC Edge“火箭飞船着陆器”演示展示了使用PSOC Edge MCU构建的有趣互动游戏。该演示提供了一种街机游戏体验,游戏图形显示在一个10英寸的显示屏上,玩家可以用手势来控制下降的火箭,使其远离障碍物并安全着陆。
电动交通和出行区域
使用英飞凌第二代HybridPACK Drive
英飞凌第二代HybridPACK Drive碳化硅功率模块
英飞凌功能安全电源芯片,AURIX单片机, EiceDRIVER Gen3, Swoboda无磁芯相电流传感器,CAN通信接口
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可回流焊分立器件并联三相全桥解决方案
车规级可回流焊版本TO247 PLUS 4PIN 封装IGBT ;
型号AIKYX120/160/200N75CP2 ;
750V EDT2汽车级芯片,易并联 ;
优化热阻低至Rth=0.35K/W;
多管并联三相全桥结构,灵活配置;
输出功率可兼容30kW~180kW
HybridPACK Drive 产品系列
英飞凌HybridPACK功率模块家族产品;
相同封装满足不同耐压及不同功率等级需求;
降低系统设计成本
车载充电器应用-英飞凌分立器件产品系列
英飞凌 功率家族分立器件产品;
相同封装满足不同耐压及不同功率等级需求;
降低系统设计成本
10kW氮化镓充电机
系统性能:
超高功率密度:10kW/L;
超高效率:96%;
超宽电池电压范围:250V…1000Vdc
电路拓扑:
PFC级:3-Φ维也纳整流器;500kHz工作频率;
DC/DC级:4个DAB级联;工作频率高达270kHz;
功率器件:
CoolGaN HEMT: IGOT60R070D1
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