0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星HBM3E质量认证进展:官方否认,测试仍在进行

CHANBAEK 来源:网络整理 2024-07-05 10:37 次阅读

近日,韩国媒体的一则报道引发了业界广泛关注,称三星电子的新一代高带宽内存HBM3E已经顺利通过了GPU巨头英伟达(NVIDIA)的质量认证,即Qualtest PRA(产品准备批准),并预示着该产品即将进入大规模量产阶段。然而,这一消息迅速被三星官方所否认,明确表示相关产品的质量测试仍在持续进行中,尚未达到认证成功的阶段。

这一反转不仅让市场参与者感到意外,也再次凸显了半导体行业技术迭代与供应链管理的复杂性。从三星的角度来看,向英伟达供应HBM3E无疑是其提振存储业务、追赶竞争对手SK海力士的关键一步。SK海力士作为英伟达长期以来的HBM供应商,在市场中占据了重要地位。三星此次力图打破这一格局,不仅是为了在技术上与SK海力士并驾齐驱,更是为了满足英伟达在AI芯片市场日益增长的HBM需求。

英伟达作为GPU市场的领导者,其产品在AI、数据中心等领域的应用广泛,对高性能HBM的需求日益增长。面对供不应求的市场现状,英伟达迫切需要新的HBM供应商加入,以确保其产品的稳定供应和市场竞争力的持续提升。因此,三星与英伟达之间的合作显得尤为重要。

然而,技术认证并非一蹴而就的过程。据三星官方透露,HBM3E产品的测试工作仍在紧锣密鼓地进行中,需要解决包括发热、功耗等在内的多项技术难题。尽管此前有报道称三星在测试中遭遇了挫折,但英伟达CEO黄仁勋在公开场合表示,与三星的合作进展顺利,需要耐心等待。这一表态无疑为双方的合作注入了信心,也预示着HBM3E产品的最终成功认证只是时间问题。

对于整个半导体行业而言,HBM技术的不断演进和普及将带来深远的影响。随着AI、大数据等技术的快速发展,对高性能存储器的需求将持续增长。HBM作为一种具有极高带宽和能效比的存储器技术,将在未来的计算架构中发挥越来越重要的作用。因此,三星、SK海力士等存储巨头在HBM领域的竞争也将更加激烈,推动整个行业的技术进步和产业升级。

综上所述,尽管三星HBM3E获得英伟达质量认证的消息最终被官方否认,但这并不影响双方继续深化合作、共同推动HBM技术发展的决心。随着技术测试的持续推进和市场需求的不断增长,我们有理由相信,三星HBM3E产品将在不久的将来成功问世,为半导体行业带来新的活力和机遇。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 内存
    +关注

    关注

    8

    文章

    2991

    浏览量

    73839
  • 英伟达
    +关注

    关注

    22

    文章

    3727

    浏览量

    90754
  • 三星
    +关注

    关注

    1

    文章

    1488

    浏览量

    31070
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三星电子HBM3E内存获英伟达认证,加速AI GPU市场布局

    近日,知名市场研究机构TrendForce在最新发布的报告中宣布了一项重要进展三星电子的HBM3E内存产品已成功通过英伟达验证,并正式开启出货流程。具体而言,三星
    的头像 发表于 09-05 17:15 638次阅读

    三星HBM3E内存挑战英伟达订单,SK海力士霸主地位受撼动

    仍在进行中,尚未取得决定性进展。尽管如此,此番风波再次凸显了HBM3E作为三星进军英伟达供应链关键“钥匙”的战略地位。
    的头像 发表于 08-23 15:02 651次阅读

    三星否认HBM3E芯片通过英伟达测试

    近日,有关三星的8层HBM3E芯片已通过英伟达测试的报道引起了广泛关注。然而,三星电子迅速对此传闻进行了回应,明确表示该报道并不属实。
    的头像 发表于 08-08 10:06 571次阅读

    三星电子HBM3E芯片测试进展引发市场关注

    8月7日,市场上关于三星电子第五代高频宽记忆体芯片HBM3E已通过英伟达(Nvidia)测试的消息引起了广泛关注。然而,三星电子对此事态的反应却显得较为谨慎。
    的头像 发表于 08-07 15:23 283次阅读

    三星HBM3e获英伟达认证,加速DRAM产能转型

    近日,三星电子在半导体领域再传捷报,其高频宽内存(HBM)产品HBM3e已成功通过全球图形处理与AI计算巨头英伟达(NVIDIA)的严格认证,标志着该产品即将进入规模化生产阶段,预计在
    的头像 发表于 07-18 09:36 661次阅读

    三星电子否认HBM3e芯片通过英伟达测试

    韩国新闻源NewDaily近日发布了一则报道,声称三星电子的HBM3e芯片已成功通过英伟达的产品测试,预示着即将开启大规模生产并向英伟达供货的序幕。然而,三星电子方面迅速对此消息
    的头像 发表于 07-05 16:09 563次阅读

    三星否认HBM3E通过英伟达测试传闻

    近期,有媒体报道称三星电子已成功通过英伟达(NVIDIA)的HBM3E(高带宽内存)质量测试,并预计很快将启动量产流程,以满足市场对高性能存储解决方案的迫切需求。然而,这一消息迅速遭到
    的头像 发表于 07-05 15:08 674次阅读

    三星电子HBM3E测试传闻引发热议,紧急澄清市场误解

    在科技界与金融市场的交汇点,一则关于三星电子HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)芯片通过英伟达严格质量测试的消息于
    的头像 发表于 07-04 16:22 485次阅读

    英伟达否认三星HBM未通过测试

    英伟达公司CEO黄仁勋近日就有关三星HBM(高带宽内存)的传闻进行了澄清。他明确表示,英伟达仍在认证三星
    的头像 发表于 06-06 10:06 522次阅读

    三星HBM3E尚无法通过英伟达认证

    三星电子近期正积极投入验证工作,以确保其HBM3E产品能够顺利供应给英伟达。然而,业界传出消息,因台积电在采用标准上存在的某些问题,导致8层HBM3E产品目前仍需要进一步的检验。
    的头像 发表于 05-17 11:10 481次阅读

    三星电子HBM3E芯片验证仍在进行,与英伟达展开联合测试并取得阶段性成果

    据行业观察者透露,三星HBM3E面临的问题源于台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准,而这与三星自身的生产方式有所出入,从而影响了产品的认证进程。
    的头像 发表于 05-17 09:30 351次阅读

    三星HBM3E芯片验证仍在进行,英伟达订单分配备受关注

    业内评论指出,三星HBM之所以出现问题,主要原因在于负责英伟达GPU制造的台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准。由于SK海力士8层HBM3E的生产方式与三星有所差异,导致
    的头像 发表于 05-16 17:56 1158次阅读

    三星电子HBM存储技术进展:12层HBM3E芯片,2TB/s带宽HBM4即将上市

    据业内透露,三星HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司,有能力在2024年9月实现对英伟达的替代,这意味着它将成为英伟达12层HBM3E的垄断供应商。然而,三星方面不愿透露具体客户信
    的头像 发表于 03-27 09:30 785次阅读

    三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM

    近日,三星电子宣布,已成功发布其首款12层堆叠的高带宽内存(HBM3E)产品——HBM3E 12H,再次巩固了其在半导体技术领域的领先地位。据了解,HBM3E 12H不仅是
    的头像 发表于 02-27 14:28 990次阅读

    三星电子成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM—HBM3E 12H

    2024年2月27日 - 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大的HBM
    的头像 发表于 02-27 11:07 734次阅读