三星电子否认HBM3e芯片通过英伟达测试

韩国新闻源NewDaily近日发布了一则报道，声称三星电子的HBM3e芯片已成功通过英伟达的产品测试，预示着即将开启大规模生产并向英伟达供货的序幕。然而，三星电子方面迅速对此消息进行了否认，表示并未收到官方确认。

回顾今年早些时候，英伟达CEO黄仁勋在3月份公开表示，公司正着手验证三星提供的HBM内存芯片，这一举措曾引发业界广泛关注。此前，市场间流传的三星HBM3E内存因散热和功耗问题未获英伟达测试通过的消息，也在5月被三星电子通过官方声明明确否认，强调其正与全球多家合作伙伴顺利推进HBM芯片的测试流程，并致力于保障产品的质量与可靠性。

据NewDaily最新报道，三星电子似乎已收到英伟达发出的HBM3e质量测试PRA（产品准备批准）通知，这一消息再度激起市场对三星在HBM存储器领域进展的猜测。

历经近十年的技术演进，HBM存储器技术已迈入HBM3E时代，市场竞争格局也愈发激烈，美光（Micron）、SK海力士及三星成为该领域的三大主要玩家。据悉，这三家公司已分别在去年7月底、8月中旬及10月初向市场推出了8hi（24GB）的HBM3E样品。

行业分析机构TrendForce指出，2023年SK海力士在HBM3产品领域表现突出，成为英伟达GPU的主要供应商，其制造技术在业内被认为领先于三星电子和美光等竞争对手。从市场份额来看，SK海力士在2022年全球HBM市场中占据主导地位，市占率高达50%，三星电子紧随其后，占有40%的市场份额，而美光则占据剩余的10%。高盛亦预测，SK海力士在未来两到三年内将能够维持其超过50%的市场份额优势。

尽管三星电子否认了HBM3E测试通过的具体消息，但相关传闻仍对市场产生了一定波动。在消息传出后，三星电子的股价于7月4日上涨3.6%，触及自4月12日以来的新高；相反，SK海力士的股价则下跌4.7%，遭遇了自6月24日以来的最大单日跌幅，显示出市场对于HBM存储器领域竞争格局变化的敏感反应。