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可穿戴芯片进阶至3nm!Exynos W1000用上了面板级封装,集成度更高

Monika观察 来源:电子发烧友 作者:莫婷婷 2024-07-08 08:29 次阅读



电子发烧友网报道(文/莫婷婷)关于可穿戴芯片三星已经推出了多款产品。2021年8月,三星发布Exynos W920,彼时是业内首款采用5nm工艺制程的可穿戴芯片,首载在Galaxy Wtach 4系列手表上。到了2023年7月,发布了 Exynos W930 智能手表芯片,首搭在Galaxy Watch 6 系列。

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图源:三星官网

就在今年7月,三星打破了上一代产品两年一更新的节奏,发布了Exynos W1000,这也是业内首款采用3nm GAA工艺制程的可穿戴设备芯片,将首搭在Galaxy Watch 7上。

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图源:三星官网

当前,可穿戴设备的功能越来越多,对可穿戴主控芯片的性能要求也越来越高,包括续航、延迟、显示等关键技术。作为业内首款3nm可穿戴设备芯片,Exynos W1000在工艺制程上得到明显的突破,其性能也相比上一代得到明显的提升。

外媒报道,Exynos W1000搭载了1个Cortex-A78大核和4个小核(Cortex-A55),主频分别为1.6GHz和1.5GHz。与上一代Exynos W930相比,Exynos W1000多核提升3.7倍,单核性能提升3.4倍,主要应用启动速度提升2.7倍。

值得一提的是,Exynos W1000采用FOPLP(扇出面板级封装),这是当前业内厂商正在跟进的先进封装,其优势是采用便宜的方形基板,且方形基板尺寸较大能够进行更多数量的封装,降低封装成本。成本的优化,对三星来说是一大利好,毕竟三星智能穿戴设备的出货量在全面排名前五。

除了FOPLP ,Exynos W1000同时采用SiP(系统级封装)、ePoP封装,集成了电源管理芯片,还集成了DRAM、NAND存储芯片。可见Exynos W1000的集成度之高。得益于制造工艺和封装方式的改进,Exynos W1000能够在保持高性能的同时还保证小型化,为电池提供了更多空间,从而为智能手表设计增添了新的灵活性。

在显示方面,Exynos W1000搭载2.5D常亮显示功能,带来增强的显示屏和具有丰富细节的表盘。当前,LTPO曲面常亮屏已经是大多数高端智能手表的标配,例如荣耀智能手表4 Pro。三星也有多款智能手表具备该功能,例如三星 Watch 6 与 Watch 6 Classic。只不过该功能需要对功耗也有了更高的要求。

三星对Exynos W1000也进行了低功耗设计。根据官方的介绍,Exynos W1000 GPU采用帧间断电(IFPO)和超驱动下(UUD)技术来降低电流消耗,同时为调制解调器引擎的低功耗运行实施了动态电压频率缩放(DVFS),并且采用了低功耗蓝牙(BLE),将给LPDDR4X升级到LPDDR5,也可提供更高的电源效率。

据了解,三星将在7月10日举办Galaxy新品发布会,届时将会带来折叠屏手机新品以及智能穿戴新品,Galaxy Watch 7、Galaxy Watch 7 Ultra或将在该场发布会上亮相。根据当前的公开消息,Galaxy Watch 7预计将配备40mm的圆形显示屏,支持BioActiveSensor2技术,售价约为262美元。

作为三星的新一代可穿戴芯片,Exynos W1000会给三星的智能手表带来哪些使用体验的提升,值得期待。

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