0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星电子重组架构,加速HBM技术创新

CHANBAEK 来源:网络整理 2024-07-08 11:54 次阅读

半导体技术日新月异的今天,三星电子再次展现了其作为行业领导者的前瞻视野与战略布局。据韩国媒体最新报道,三星电子已正式启动了组织重组计划,旨在通过整合与优化资源,构建一个全新的高带宽内存(HBM)开发团队。此举标志着三星电子在加速推进HBM技术领域创新与突破的坚定决心。

此次重组的核心在于打造一个高效协同、技术集中的HBM研发体系。三星电子DS(Device Solutions)部门宣布成立“HBM开发团队”,并由副社长、高性能DRAM设计领域的资深专家孙永洙亲自挂帅担任研发组组长。孙永洙副社长的深厚技术功底与丰富经验,无疑为这一新团队注入了强大的领导力和创新动力。

新成立的HBM开发团队,其最大亮点在于实现了原本分散于各处的HBM相关技术开发和先进封装能力的全面整合。在此之前,三星电子针对HBM3、HBM3E以及下一代HBM4等前沿产品,均设有各自独立的开发团队。这种分散式的研发模式虽然在一定程度上保证了项目的灵活性与专业性,但也面临着资源难以高效配置、技术协同不足等问题。通过此次重组,三星电子成功地将这些团队合并为一个统一的作战单元,实现了从技术研发到封装设计的无缝衔接,极大地提升了研发效率与创新能力。

尤为值得一提的是,新团队还吸纳了原本隶属于先进封装(AVP)业务团队的HBM相关封装技术开发人员。这一举措不仅强化了HBM开发团队在封装技术方面的实力,也进一步凸显了三星电子在推动HBM技术全面升级方面的决心。AVP业务团队作为三星电子内部负责所有尖端封装的专门组织,其技术实力与行业经验无疑是新团队不可或缺的宝贵财富。

随着HBM技术在数据中心、高性能计算、图形处理等领域的应用日益广泛,其重要性日益凸显。三星电子此次组织重组,无疑是对这一技术趋势的敏锐洞察与积极响应。通过构建全新的HBM开发团队,三星电子不仅将进一步巩固其在DRAM市场的领先地位,更将在新兴的HBM技术领域占据先机,引领行业向前发展。

展望未来,我们有理由相信,在孙永洙副社长的带领下,三星电子的HBM开发团队将不断突破技术瓶颈,推出更多具有创新性和竞争力的产品,为全球半导体产业的繁荣发展贡献自己的力量。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    334

    文章

    26802

    浏览量

    213891
  • 三星电子
    +关注

    关注

    34

    文章

    15843

    浏览量

    180852
  • HBM
    HBM
    +关注

    关注

    0

    文章

    363

    浏览量

    14674
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三星电子或向英伟达供应先进HBM

    领域的竞争对手SK海力士公司最近也取得了不小的突破。据悉,SK海力士已经开始量产业界领先的12层HBM3E芯片。这一消息无疑加剧了HBM市场的竞争态势。 然而,对于三星电子来说,向英伟
    的头像 发表于 11-04 10:39 116次阅读

    三星电子全面重组,决定关闭LED业务

    近日,三星电子宣布启动一项全面的组织重组计划,旨在优化资源配置,提升整体竞争力。作为重组计划的一部分,三星
    的头像 发表于 10-11 17:25 519次阅读

    三星电子加速推进HBM4研发,预计明年底量产

    三星电子在半导体技术创新之路上再迈坚实一步,据业界消息透露,该公司计划于今年年底正式启动第6代高带宽存储器(HBM4)的流片工作。这一举措
    的头像 发表于 08-22 17:19 587次阅读

    三星HBM技术逆袭:NVIDIA认证助力业绩飙升

    在8月1日公布的最新财报中,三星电子再次展示了其在高带宽内存(HBM)领域的强劲表现。数据显示,三星第二季度HBM销售额同比大幅增长超过50
    的头像 发表于 08-01 14:42 396次阅读

    三星HBM3e获英伟达认证,加速DRAM产能转型

    近日,三星电子在半导体领域再传捷报,其高频宽内存(HBM)产品HBM3e已成功通过全球图形处理与AI计算巨头英伟达(NVIDIA)的严格认证,标志着该产品即将进入规模化生产阶段,预计在
    的头像 发表于 07-18 09:36 630次阅读

    英伟达否认三星HBM未通过测试

    英伟达公司CEO黄仁勋近日就有关三星HBM(高带宽内存)的传闻进行了澄清。他明确表示,英伟达仍在认证三星提供的HBM内存,并否认了三星
    的头像 发表于 06-06 10:06 509次阅读

    三星电子否认HBM产品未达标,多家合作公司保证质量

    针对媒体报道三星电子高带宽存储(HBM)产品未达英伟达品质标准的传闻,三星予以明确否认。该报道列举了散热及功耗等问题,并称三星
    的头像 发表于 05-27 09:51 339次阅读

    三星电子HBM存储技术进展:12层HBM3E芯片,2TB/s带宽HBM4即将上市

    据业内透露,三星HBM3E芯片研发方面遥遥领先其他公司,有能力在2024年9月实现对英伟达的替代,这意味着它将成为英伟达12层HBM3E的垄断供应商。然而,三星方面不愿透露具体客户信
    的头像 发表于 03-27 09:30 763次阅读

    英伟达寻求从三星采购HBM芯片

    英伟达正在寻求与三星建立合作伙伴关系,计划从后者采购高带宽存储(HBM)芯片。HBM作为人工智能(AI)芯片的核心组件,其重要性不言而喻。与此同时,三星正努力追赶业内领头羊SK海力士,
    的头像 发表于 03-25 11:42 671次阅读

    三星电子发布业界最大容量HBM

    三星电子近日宣布,公司成功研发并发布了其首款12层堆叠HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,该产品在带宽和容量上均实现了显著的提升,这也意味着
    的头像 发表于 03-08 10:10 614次阅读

    三星电子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

    三星电子近期研发的这款36GB HBM3E 12H DRAM确实在业界引起了广泛关注。其宣称的带宽新纪录,不仅展现了三星在半导体技术领域的持
    的头像 发表于 03-08 10:04 733次阅读

    三星发布首款12层堆叠HBM3E DRAM

    近日,三星电子宣布,已成功发布其首款12层堆叠的高带宽内存(HBM3E)产品——HBM3E 12H,再次巩固了其在半导体技术领域的领先地位。
    的头像 发表于 02-27 14:28 969次阅读

    三星电子成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM—HBM3E 12H

    2024年2月27日 - 三星电子今日宣布,公司成功发布其首款12层堆叠HBM3E DRAM——HBM3E 12H,这是三星目前为止容量最大
    的头像 发表于 02-27 11:07 721次阅读

    三星/SK海力士已开始订购DRAM机群工艺和HBM相关设备

    数据显示,首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力,并启动大规模HBM设备采购
    的头像 发表于 01-08 10:25 912次阅读

    三星显示与三星半导体合作加速OLEDoS技术突破

    三星正在加速进军扩展现实(XR)市场。三星电子三星显示已开始合作开发OLEDoS(OLED on Silicon)。
    的头像 发表于 11-21 18:23 1186次阅读