耐高压SiC IGBT模块是一种集成了碳化硅(SiC)材料和绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术的电力电子器件。SiC材料因其出色的热导率和电子迁移率,能够在高温和高电压环境下保持稳定性能,从而显著提高IGBT模块的耐压能力和效率。
![wKgZomaMph2AHhDbAAEpPk_iLbg422.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FA/28/wKgZomaMph2AHhDbAAEpPk_iLbg422.png)
这种模块特别适用于高压直流输电(HVDC)、电动汽车(EV)充电站和可再生能源系统等需要高效能和高可靠性的应用场景。SiC IGBT模块能够减少能量损耗,提高系统效率,同时由于其耐高温特性,可以减少散热需求,简化冷却系统设计,降低整体系统成本。
日立(HITACHI)耐高压碳化硅IGBT模块已广泛应用于铁路和各种电力转换器等领域,并被全球各大领先企业采用。SiC IGBT模块的快速开关速度也使其在处理高频信号时表现更优,进一步扩展了其在现代电力电子系统中的应用范围。
碳化硅(全SiC)
·采用SiC MOSFET的超低开关损耗
·高电流密度封装
·低电感
·可扩展,易于并联
![wKgZomaMpjOAcSTVAABcq9orTEI260.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FA/29/wKgZomaMpjOAcSTVAABcq9orTEI260.png)
碳化硅(混合SiC)
·先进的沟槽HiGT - sLiPT技术
·SiC肖特基势垒二极管
·采用SiC二极管的超低恢复损耗
![wKgaomaMpjyAL3EVAAA74Fqy95E965.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FB/15/wKgaomaMpjyAL3EVAAA74Fqy95E965.png)
3300V E2版
·精细平面HiGT - sLiPT
·低VCE(sat)
·软开关
![wKgaomaMpkSAZwgnAAA56Mxy0mg926.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FB/15/wKgaomaMpkSAZwgnAAA56Mxy0mg926.png)
4500V F-H版
·先进的沟槽HiGT - sLiPT技术
·低开关损耗
·高电流额定值
·符合RoHS标准
![wKgZomaMpleAF7djAABSnFKpcOA607.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/FA/29/wKgZomaMpleAF7djAABSnFKpcOA607.png)
*1 注释:M:批量生产,W:工作样品,U:研发中
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