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摩尔定律指出,在集成电路上可容纳的晶体管数量大约每隔18-24个月就会翻一番,台积电已经开始试产2nm制程工艺了,这导致IC氧化物厚度和导线宽度变得更薄,对于ESD就更敏感了,所以IC厂商会将静电放电(ESD)保护集成到芯片中,但是由于IC尺寸缩小和特征尺寸减小,内置ESD保护装置(如二极管、闩锁晶体管和多晶硅电阻)可能无法处理较高的ESD能量,可能导致保护失效。这意味着内部ESD保护的能力有限,可能不足以应对某些高能量的ESD事件,仍需要额外的外部保护措施。当IC遭受外部ESD事件时,外部的ESD电容会吸收一部分能量,剩余的能量会由IC内部的ESD防护模块吸收,那么遇到这种情况我们该如何计算电容容值呢?下面我们就以集成了小信号TVS的IC为例,讲解一下外部ESD电容容值的计算方法。
计算的思路是外部的ESD电容吸收之后剩余的ESD能量不会超过IC内部的ESD防护模块允许吸收的最大能量。W0=(Vesd0-Vcl)*Vcl*Cesd0
其中Vesd0表示规格书中IC允许承受的最大ESD电压(比如下图的5000V),可以在规格书中找到这个参数,Vcl表示IC内部ESD防护模块的钳位电压(比如下图的64V),Cesd0表示IC ESD测试的放电电容(比如下图的100pF)。
2.添加外部ESD电容后,IC实际吸收的ESD能量W1如何计算?W1=(Vesd1-Vcl*(1+Cext/Cesd1))*Vcl*Cesd1
其中Vesd1表示产品实际测试的最大ESD电压,比如8KV,Vcl表示IC内部ESD防护模块的钳位电压,Cext表示外部添加的ESD电容,Cesd1表示产品实际测试的ESD 放电电容(比如330pF)。
3.添加的外部ESD电容容值如何计算?
基于IC实际吸收的ESD能量W1要小于IC允许的最大ESD脉冲能量W0可以计算出外部电容的最小容值:
Cext_min=((Vesd1-Vcl)*Cesd1/Vcl)-W0/Vcl*Vcl
以接触放电8KV,源电容330pF,放电电阻2kΩ,可以计算出Cext_min>33nF。
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原文标题:一种新的MLCC陶瓷电容用于电路静电ESD保护的电容容值计算方法
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