微变等效电路rbe的计算公式

微变等效电路中的rbe是一个重要的参数，它代表了三极管的输入电阻，对于分析三极管的交流性能具有重要意义。关于rbe的计算公式，有多种表述方式，但核心思想是一致的。以下是对rbe计算公式的解析：

1. 基本公式

最基础的rbe计算公式为：

[ rbe = rb + (1 + beta)Re ]

其中：

• ( rb ) 是基极电阻（也称为基极体电阻或基区体电阻），它取决于三极管的物理结构和材料特性。
• ( beta ) 是电流放大系数，它反映了三极管对电流的放大能力。
• ( Re ) 是发射极电阻，它可能是外接的电阻，也可能是三极管内部的发射极电阻。

2. 考虑温度影响的公式

在某些情况下，为了更准确地计算rbe，需要考虑温度的影响。此时，可以使用以下公式：

[ rbe = rbb' + (1 + beta) frac{UT}{Ieq} ]

或者类似的形式：

[ rbe = rbb' + (1 + beta) frac{26mV}{Ieq} ]

（注意：这里的26mV是在室温（约300K）下的热电压UT的近似值）

其中：

• ( rbb' ) 是小功率管的基区体电阻的一个特定参数，通常在200~300欧姆之间，具体值取决于三极管的型号和制造工艺。
• ( UT ) 是热电压，它与温度有关，室温下约为26mV。
• ( Ieq ) 是发射极的静态电流，它与基极电流和电流放大系数有关。

3. 注意事项

• 在实际计算中，需要根据具体的电路和条件选择合适的公式。
• 公式中的各个参数（如rb、β、Re、rbb'、UT、Ieq等）需要通过实验测量或查阅三极管的数据手册来获得。
• 需要注意的是，rbe的值并不是固定的，它会随着电路的工作状态（如温度、电流等）的变化而变化。