MOS,是MOSFET的缩写。全称为金属-氧化物-半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。MOS管最基本且常用的功能是通过对G级施加电压以控制S与D之间的开启与关闭,常用作电子开关。
MOS管基本结构
MOS主要有以下几个特点
1、栅压输入阻抗高,MOS管栅极有绝缘膜氧化物,但栅极容易被静电、高压击穿,造成不可逆的损坏。
2、导通电阻低,可以做到毫欧级,低损耗。
3、开关速度快,开关损耗低。
MOS主要电特性参数及实际测试结果
MOS主要电参数特性
根据MOS的特点,在MOS的使用当中最常关注的电特性参数有以下方面:
BVDSS(源漏击穿电压)
用于评估DS之间的耐压情况。对于大功率MOS,DS之间的耐压通常要求至千伏级别,在使用PROBE进行晶圆级测试时,通常需采用绝缘氟油保护,防止芯片表面发生空气击穿而造成破坏。
IDSS(源漏泄漏电流)
DS沟道关闭时的泄漏电流,MOS在非工作状态下的DS损耗,通常为uA级别。
IGSS(栅极泄漏流)
在一定栅压下流过栅极的泄漏电流。
Vth(开启电压)
能使漏极开始有电流时的栅极电压。
RDS(on)(导通电阻)
DS之间的导通电阻,与MOS在开启时的传输损耗有关,RDS(on)越大,MOS的损耗越高。RDS(on)通常为mΩ级别,在使用PROBE进行晶圆测试时,在DS之间使用四线法搭载测试环境,以消除金属探针自身电阻的影响。对于大功率MOS的测试,采用高功率探针,瞬时电流能够达到百安级。
一般用于导通电感负载传来的反向电流。
Ciss(输入电容)
Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成。驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。
Coss(输出电容)
Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成,它可能引起电路的谐振。
Crss(反向传输电容)
反向传输电容等同于栅漏电容Cgd,也叫做米勒电容,对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数,影响关断延时时间。MOS管的电容随着漏源电压的增加而减小,尤其是输出电容和反向传输电容。
Qgs、Qgd、Qg:栅电荷
栅极电荷值反应存储在端子间电容上的电荷。开关的瞬间,栅极储存电荷随电压的变化而变化,设计栅驱动电路时经常要考虑栅电荷的影响。
输出特性曲线
在不同的VGS下,流过漏极的电流与漏源间施加电压之间的关系ID-VDS。
转移特性曲线
在一定的VDS下,MOS管饱和区的漏极电流与栅源电压之间的关系(ID-VGS)。
广电计量MOS电特性参数测试能力
广电计量配备大功率图示仪、探针测试台,能够对封装级、晶圆级(封装前、开封后)MOS管进行电特性参数测试;同时,搭载的MOS专用测试环境源漏电压最高可达3kV(HVSMU,高压模块)、电流最高可达1.5kA(UHCU,大电流模块),栅压最大值100V,电流精度10fA、电压精度25μV。对于动态参数测试,频率范围可达1kHz~1MHz、MOS特征电容测试范围可达100fF~1μF。
探针测试台
审核编辑 黄宇
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