随着设计人员打破应用性能界限,了解如何在应用中使用MOSFET至关重要。过去,具有给定的品质因数(FOM)的标准功率开关基本上适用于任何应用。但是,为了满足特定的应用要求或功能,越来越需要优化MOSFET参数组来更好地匹配这些要求。例如,应用可能要求软启动、扩展的安全工作区域、可靠的线性模式性能或增强的保护。在Nexperia,我们将久经验证的MOSFET专业知识和广泛的应用认知相结合,打造了一系列更丰富的应用专用MOSFET。
过去,具有给定的品质因数(FOM)的标准功率开关基本上可以应用于任何场合。但随着技术的进步和应用的多样化,对MOSFET的需求比以往任何时候都要复杂和多样。常规MOSFET数据表上有100多个参数,如Rds(on)、Vth、Ciss和Qg等等。但通常只有少数参数在每个项目中至关重要。而且随着应用的变化,关键参数也会发生变化。
因此,单一的 MOSFET 参数很难满足所有应用的需求。Nexperia 深谙这一道理,“应用专用”是在 MOSFET 领域的又一大创新,这是基于多年对特定应用的理解和与客户的携手合作而推出的产品系列。通过重点优化对某一应用场景最为关键的参数,即使可能会牺牲其他不太关联的参数,但也确保我们的 MOSFET 产品能够完美匹配特定领域的需求,发挥出最优的性能和效益。
重复雪崩的汽车ASFET
有保证的重复雪崩性能,符合汽车标准
使用MOSFET为驱动电磁阀等感性负载供电时,大多数电路设计包含附加的器件,以便当负载电流在关断期间持续流动时保护MOSFET。解决方案包括高效但昂贵的升压拓扑(可重复利用能量),以及效率较低但更经济实惠的续流二极管方案。重复雪崩装置的简单替代方案在过去只能通过平面技术来实现。Nexperia通过优化MOSFET,使其能够轻松应对重复雪崩电流,同时将结温保持在175 ℃以下,从而提供了一种真正耐用的器件,实现了大量的系统级节约。
用于重复雪崩的ASFET专为满足一系列汽车和感性负载的需求而设计:
符合AEC-Q101标准
有保证的重复雪崩性能,经过高达10亿个周期的测试
稳健的硅技术与LFPAK的热性能相结合,确保芯片温度保持在175 ℃以下
使用单个MOSFET非常简便,减少了BOM和电路复杂性,实现了系统成本和空间节约
用现代沟槽替代旧式平面技术
与续流二极管方案相比,提供了更高的效率和更快的开关
推荐产品
BUK9K13-60RA
双N沟道60V、12.5 mΩ逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56D封装,使用重复雪崩。
电池隔离的ASFET
增强的SOA、稳健性和最大电流
如今大多数手持和电池供电的工具和设备都依赖于多节锂离子电池组。锂离子电池具有能量密度高的优点。但是在故障情况下,这可能会成为问题,因为它有可能导致大量不受控制的能量释放,从而导致负载过热和潜在的电路火灾。要在安全隔离电池并关闭系统前以可控的方式处理大量放电,需要非常稳健且具有高热效的MOSFET。Nexperia最稳健的LFPAK封装器件的理想应用。
用于电池隔离的ASFET专为多节电池供电设备而设计:
在故障情况下,由于在故障引起深度放电时,大电流下的电路电感会产生电压,因此电池隔离MOSFET通常会进入线性模式
增强的SOA MOSFET继续安全可控地运行,直到关闭为止,电池与负载电路完全隔离
正常工作时,需要低导通电阻才能实现低传导损耗,但需要优化参数以实现安全的电池隔离
稳健的电池隔离MOSFET可用作设备批准的主要保护
推荐产品
PSMNR70-40SSH
N沟道40V、1.1 mΩ、280 A逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装。
热插拔和软启动的ASFET
可靠的线性模式,增强的SOA与低导通电阻
无论是云还是边缘技术,都和我们忙碌的生活息息相关。我们的日常生活很大程度上依赖于始终开启的机架式计算机、通信和存储系统。要确保这些系统不会出现电源中断,在将替换电路板插入运行中的系统时保护上面的器件,必须小心控制冲击电流。在常规MOSFET中,强大的SOA性能和低导通电阻是互斥的。Nexperia专用于热插拔和软启动的MOSFET在单个器件上同时提供这两种功能,并针对不间断的运行要求进行了优化。
用于热插拔和软启动的ASFET专为支持始终开机的应用和设备而设计:
当在背板中引入电容负载时,需要采用具备强劲线性模式性能和增强安全工作区域(SOA)的MOSFET来高效可靠地控制冲击电流
一旦安全接通替换电路板,MOSFET便会完全导通。在此运行模式下,具有低导通电阻值是最重要的,它有助于最大限度地保持低温和高系统效率
推荐产品
PSMNR67-30YLE
N沟道100 V,2.3 mΩ,SuperSOA MOSFET, 采用LFPA88封装。
Nexperia (安世半导体)
Nexperia(安世半导体)总部位于荷兰,是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司,目前在欧洲、亚洲和美国共有14,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者,Nexperia(安世半导体)的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域,几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。
Nexperia(安世半导体)为全球客户提供服务,每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面成为行业基准,获得广泛认可。Nexperia(安世半导体)拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围,并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证,充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。
Nexperia:效率致胜。
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原文标题:【样品申请】Nexperia扩展一系列创新应用专用MOSFET,精准优化匹配您的设计需求
文章出处:【微信号:Nexperia_China,微信公众号:安世半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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