在半导体技术日新月异的今天,韩国半导体厂商周星工程(Jusung Engineering)凭借其最新研发的原子层沉积(ALD)技术,再次在全球半导体行业中引起了广泛关注。据韩媒报道,这项技术能够在生产先进工艺芯片时显著降低极紫外光刻(EUV)工艺步骤的需求,为半导体制造领域带来了革命性的突破。
周星工程董事长Chul Joo Hwang在谈及这项技术创新时表示,当前DRAM和逻辑芯片的扩展已经逼近物理极限,传统微缩技术的潜力逐渐耗尽。面对这一挑战,半导体行业迫切需要寻找新的解决方案,以延续摩尔定律的辉煌。在此背景下,堆叠晶体管技术应运而生,成为突破尺寸限制的重要途径。正如NAND Flash通过垂直堆叠实现了存储密度的飞跃,DRAM和逻辑芯片也将借鉴这一思路,通过堆叠晶体管来克服扩展难题。
ALD技术的引入,正是这一转型过程中的关键一步。与传统的沉积技术相比,ALD具有出色的保形涂层能力和高度的厚度控制精度,即使在复杂的3D结构表面也能实现均匀且高质量的薄膜沉积。这一特性使得ALD在制造全栅(GAA)晶体管等先进半导体器件时显得尤为重要。通过堆叠晶体管,半导体厂商可以在不增加芯片面积的前提下,大幅提升存储密度和性能,从而满足市场对于更小、更快、更高效的芯片需求。
Chul Joo Hwang进一步指出,随着堆叠晶体管技术的普及,ALD机器的需求也将迎来爆发式增长。除了DRAM和逻辑芯片外,III-V和IGZO(氧化铟镓锌)等新型半导体材料的生产同样需要ALD设备的支持。这些材料在高频、高速、低功耗等领域具有显著优势,是未来半导体技术发展的重要方向。因此,ALD技术的广泛应用不仅有助于解决当前半导体制造的瓶颈问题,还将为整个行业带来更加广阔的发展前景。
综上所述,周星工程研发的ALD技术无疑为半导体行业注入了一股新的活力。通过降低EUV工艺步骤需求、推动堆叠晶体管技术的发展,这项技术正引领着半导体制造工艺向更加高效、更加精细的方向迈进。随着技术的不断成熟和普及,我们有理由相信,未来的半导体产品将更加小巧、更加强大,为人类社会的科技进步和经济发展贡献更大的力量。
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