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湖南静芯推出针对HDBaseT接口的静电和浪涌防护器件SENC26F3V4UC,可替代RClamp2504N

静芯微 来源:jf_65561982 作者:jf_65561982 2024-07-18 16:58 次阅读

HDBaseT技术简介

HDBaseT技术,由全球知名的家电巨头如LG、Samsung、Sony(均来自亚洲),携手以色列的半导体技术先锋Valens Semiconductor,共同创立了HDBaseT联盟。该联盟于2009年成功获得了Intel的HDCP(高清内容保护)认证,标志着其技术标准的权威性与安全性。随后,在2010年6月底,HDBaseT 1.0的官方规范正式确立,为行业树立了新的里程碑。

HDMI和DisplayPort等标准不同,HDBaseT并未引入全新的接口设计,而是巧妙地采用了RJ45接口,这一接口常被称为水晶头以太网接口,极大地提升了用户的熟悉度与便捷性。同时,HDBaseT采用了普遍易得的网线作为传输介质,进一步降低了部署成本,增强了其普及性。

HDBaseT标准不仅限于视频信号的传输,它还集成了网络连接功能,实现了音视频信号与数据通信的同步传输。该技术还支持以太网供电PoE),即可以通过网线同时为连接的设备提供电力,极大地简化了布线工作,提升了系统的整体效能与灵活性。

2.HDBaseT版本介绍

HDBaseT Versions
Specifications SPEC 1.0 SPEC 2.0 SPEC 3.0
Video & distance 1080p,100m/328ft 4K@30 4:4:4, 100m/328ft 4K@60 4:4:4, 100m/328ft
UHD 4K, 90mv295ft 4K@30 4:4:4, 100m/328ft
USB 2.0 2.0 2.0
Power 100 Watts 100 Watts 100 Watts
Ethernet 100MbpS 100MbpS Gigabit
Recommended cables Category 5e and above Category 6a and above Category 6a and above

表1 HDBaseT版本介绍

3.湖南静芯HDBaseT产品推荐

静芯推出超小体积、超高峰值电流,低钳位电压的HDBaseT ESD器件SENC26F3V4UC,该产品专为HDBaesT接口的TX(发送)和RX(接收)线路设计。SENC26F3V4UC为单路保护器件,具备3.3V低触发电压和7V低钳位电压特性,满足115V低压浪涌(8/20us)的过压保护需求(VRWM=3.3V MAX,VCL = 13.0V@IPP = 40.0A (8/20us))。以其更小的容值和更高的峰值电流,为高速数据传输提供了高速信号线提供优异的瞬态过压保护效果,确保了信号的完整性和设备的安全性。

wKgZomaY15qAMSi6AADgR64xCx8656.png

图1 基本电性图

SENC26F3V4UC参数对比RClamp2504N(包含测试图形)

wKgaomaY2ECAWMlmAABLyYf-82o748.png

表2 器件测试参数对比

wKgaomaY2J2ADDgnAADK9c3LWdk459.png

图2 峰值电流10A 8/20测试曲线

(左边RClamp2504N,右边SENC26F3V4UC)

wKgZomaY2KqAcg2gAADSk5xuRBY512.png

图3极限测试 8/20浪涌测试曲线

(左边RClamp2504N,右边SENC26F3V4UC)

SENC26F3V4UC的实测过流能力是 46.4A, RCLAMP2504N的实测过流能力28A, SENC26F3V4UC的钳位电压14V@46.4A, RCLAMP2504N的钳位电压14.2V@28A,超过10A后的钳位电压,SENC26F3V4UC的钳位电压会明显好于RCLAMP2504N,考虑系统的稳健性是通过测试极端参数条件下的可靠性,在RCLAMP2504N的极限电流28A的条件下,SENC26F3V4UC的钳位电压会低于11V(RCLAMP2504N为14.2V),对系统的防护效果更好。

在1A附近的钳位电压的实测数据:SENC26F3V4UC的钳位电压6.32V@1.28A, RCLAMP2504N的钳位电压4.8V@1.44A,两者差别不大(规格书上 SENC26F3V4UC的余量留的比较足,标的典型值7V,最大值10V;RCLAMP2504N的最大值4.5V,但是这个值已经和实测的典型值接近了。)

SENC26F3V4UC第5号管脚可以接3.3V的VCC(RCLAMP2504N的5号管脚规格书提示不能接VCC,有风险),对3.3V提供比较好的防护,对靠近接口部分的电源提供静电和浪涌防护,实际布线电源走线可以先连接到器件5号脚,再给到应用电路。

5.HDBaseT电路框图

wKgZomaY15uAWXU_AAGPVaGMMvw942.png

图 典型应用图

防护方案中所使用ESD型号参数描述(详尽参数请与我司代理联系):

信号线 型号 描述 电流
A
钳位电压
V
电容
pF
封装
HDBT+
HDBT-
SENC26F3V4UC 3.3V
单向
ESD30kV
40 7 4 DFN2626-10L
D+/D- SEUC10F5V4U 5.0V
单向
ESD12kV
4.5 9 0.3 DFN2510-10L
REMOTE/CLK
DAT/OUT
SEUC236T5F4U 5
单向
ESD12kV
4.5 9 0.3 SOT-23-6L
TP+/TP- SELC3D3V1BA
SELC3D5V1BA
3.3/5V
双向
ESD15kV
20 20 0.8 SOD323
VCC/GND
D+/D-
SELC143T5V2UB 5V
单向
ESD15kV
5 9 0.6 SOT-143

湖南静芯是一家专门从事高可靠性器件与芯片设计的高新技术企业,为客户提供面向汽车、工业物联网等高可靠性传感器及相关芯片、半导体器件和应用系统等产品和服务。

在分立器件方向具有自带完整ESD/TVS/TSS/MOS等器件工艺技术和产品;

集成电路芯片方向提供高可靠性的光电集成信号处理/TDS/OVP等芯片技术和产品;

在设计服务方面提供片上集成抗雷击高性能ESD/TVS委托开发设计。

wKgaomaY15qAArC3AAAeqp6pc4Y487.png

静心创新,静芯创芯

官方网站:www.elecsuper.com

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审核编辑 黄宇

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