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IGBT IPM控制电源欠压误动作防止功能

罗姆半导体集团 来源:罗姆半导体集团 2024-07-24 14:30 次阅读

本文的关键要点

控制电源电压欠压误动作防止电路(UVLO),在控制电源电压下降到规定电压以下时会启动。

虽然HVIC(High Side Gate Driver)和LVIC(Low Side Gate Driver)中均配备了UVLO电路,但FO信号(错误输出)仅在LVIC的UVLO启动时输出。

目录

控制电源欠压误动作防止功能(UVLO)

LVCC控制电源欠压误动作防止功能的工作时序(配备于LVIC)

VBS控制电源欠压误动作防止功能的工作时序(配备于HVIC)

本文将探讨第二个主题,通常被简称为“UVLO”、一种可防止控制电源欠压时发生误动作的功能。

短路电流保护功能(SCP)

控制电源欠压误动作防止功能(UVLO)

热关断保护功能(TSD)*仅限BM6337xS

模拟温度输出功能(VOT)VOT)

错误输出功能(FO)

控制输入(HINU、HINV、HINW、LINU、LINV、LINW)

控制电源欠压误动作防止功能(UVLO)

如果控制电源电压降低,IGBT的栅极电压也会降低,可导致IGBT性能下降等问题,因此需要在推荐电源电压范围内使用相关产品。当控制电源电压下降到规定的电压以下时,控制电源欠压误动作防止电路(UVLO:Under Voltage Lock Out,欠压锁定)就会启动。

HVIC(High Side Gate Driver)的浮动电源VBS和LVIC(Low Side Gate Driver)的控制电源VCC均配备了UVLO电路,但FO信号(错误输出)仅在LVIC的UVLO启动时输出。下表中列出了各控制电源电压范围内的IPM工作状态。

0c1b66ec-4973-11ef-b8af-92fbcf53809c.png

LVCC控制电源欠压误动作防止功能

的工作时序(配备于LVIC)

下面是配备于LVIC侧的LVCC控制电源欠压误动作防止功能的工作时序和时序图。b1~b8的工作说明是时序图中对应编号处的动作。

b1:LVCC上升,在VCCUVR处释放,在下一个LIN上升沿开始工作(通过LIN对各相输入,各相恢复正常状态)

b2:正常工作过程中,IGBT导通时流过输出电流Ic

b3:当LVCC下降到低于VCCUVT时,保护功能启动

b4:关断下侧桥臂各相的IGBT(无论LIN输入如何都关断)

b5:当FO输出(90µs Min)、UVLO=H期间在90μs以内时。如果UVLO=H期间在90μs以上,在UVLO=H期间(直到LVCC恢复所需的时间段)输出FO(FO=L)

b6:当LVCC恢复时,在VCCUVR处释放

b7:即使在LIN=H(虚线)时被释放,直到下一个LIN上升沿IGBT仍保持关断状态

b8:正常工作。IGBT导通,流过输出电流Ic

0c455646-4973-11ef-b8af-92fbcf53809c.jpg

VBS控制电源欠压误动作防止功能

的工作时序(配备于HVIC)

接下来,我们来看配备于HVIC侧的VBS控制电源欠压误动作防止功能的工作时序和时序图。同样,c1~c7的工作说明是时序图中对应编号处的动作。

c1:VBS上升,在VBSUVR处被释放,在下一个HIN上升沿开始工作

c2:正常工作过程中,IGBT导通,流过输出电流Ic

c3:当VBS下降到低于VBSUVT时,保护功能启动

c4:仅相关相的IGBT关断(无论HIN输入如何都关断),FO不输出(保持H)

c5:当VBS恢复时,在VBSUVR处释放

c6:即使在HIN=H(虚线)时被释放,直到下一个HIN上升沿IGBT仍保持关断状态

c7:正常工作。IGBT导通,流过输出电流Ic

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原文标题:R课堂 | IGBT IPM控制电源欠压误动作防止功能(UVLO)

文章出处:【微信号:罗姆半导体集团,微信公众号:罗姆半导体集团】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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