SK海力士用更加环保的氟气替代三氟化氮用于芯片清洁工艺

SK 海力士，作为全球领先的半导体制造商，近期在环保领域迈出了重要一步，宣布在其芯片生产的关键清洗工艺中，将采用更为环保的气体——氟气（F2）来替代传统的三氟化氮（NF3）。这一举措不仅彰显了SK 海力士对环境保护的坚定承诺，也标志着半导体行业向绿色生产迈出的新步伐。

据SK 海力士2024年可持续发展报告披露，过去，公司在芯片生产过程中使用三氟化氮作为清洗气体，以有效去除沉积过程中腔室内残留的杂质。然而，三氟化氮的全球变暖潜能值（GWP）高达17200，对环境构成较大压力。为了减轻这一影响，SK 海力士积极探索并成功实施了氟气替代方案。氟气不仅具有优异的清洗效果，其GWP值更是低至0，从源头上降低了生产过程中的温室气体排放。

此外，SK 海力士还进一步加大了氢氟酸（HF）的使用量，这种气体在低温蚀刻设备中表现出色，且其GWP值仅为1或更低，远远优于过去用于NAND通道孔蚀刻的氟碳气体。这一系列环保措施的实施，不仅提升了SK 海力士的生产效率，更在保护地球环境方面发挥了积极作用。

SK 海力士的这一转型，不仅是对自身可持续发展的负责任态度，也为整个半导体行业树立了绿色生产的典范。未来，随着更多企业加入到环保生产的行列中来，半导体行业将迎来更加绿色、可持续的发展前景。