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应用于负压信号选通的高速SPDT模拟开关

乾鸿微 2024-07-26 14:45 次阅读

引言:某些功放产品(例如GaN功放),需要负电平精准控制功放的栅极电压。本文介绍一种简单的栅压控制方案,采用乾鸿微电子HS102EO型高速SPDT模拟开关进行栅压控制和高速切换。

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HS102EO型低压高速单刀双掷(SPDT)模拟开关是由深圳市乾鸿微电子有限公司自主设计,并基于国内代工厂工艺流片的模拟集成电路产品。该产品基于CMOS工艺设计,可在2.5V~5.5V的电源范围内工作,除了常规的正电源应用外,还可以实现负电源的应用,具体应用电路图如下所示。

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HS102负压应用电路图

VDD端口接最高电平0V,GND端口接负电源-5V,控制端口IN给的信号是-5V~0V的方波,就以实现对S1和S2导通状态的控制。当IN端的信号为0V时,通道S1导通,S2关断;当IN端的信号为-5V时,通道S2导通,S1关断,导通真值表如下所示。

HS102EO In

Switch S1

Switch S2

0

On

Off

1

Off

On

HS102EO导通真值表

VDD端接0V,GND端接-5V时,控制端IN的逻辑高低电平的推荐值如下:

逻辑电平

-40℃~125℃

高电平逻辑1,VINH

0V

低电平逻辑0,VINL

-5V

HS102EO型单刀双掷模拟开关在此种电路应用下,就可以实现对电压范围为-5V~0V的传输信号导通和关断情况的控制。适用于一些需要切换传输负压信号的通信视频音频等应用场合或一些负压信号处理系统。

该产品采用塑封 SOT23-6L,工业级,工作温度范围为-40℃~125℃。若需要其他质量等级或不同封装的产品,请与我司联系。

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