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IPAC碳化硅直播季丨如何设计2000V CoolSiC™驱动评估板

英飞凌工业半导体 2024-08-02 08:14 次阅读
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英飞凌继推出市面首款击穿电压达到2000V的CoolSiC MOSFET分立器件,再次推出首个应用于2000V CoolSiC MOSFET的评估板。本次IPAC直播间特邀评估板开发团队,免费教学,带您深入了解两款评估板设计精髓与测试要点,领略英飞凌2000V CoolSiC 碳化硅产品的高效与可靠。

直播时间:

2024年8月7日 14:00

直播亮点:

首秀专场:2000V碳化硅评估板线上首发

免费教学:如何设计2000V CoolSiC驱动评估板

幸运抽奖:互动分享,惊喜连连

全能测试,精准评估

2000V SiC分立器件双脉冲或连续PWM评估板

通用测试平台:是评估全系列CoolSiC及EiceDRIVER驱动器的理想之选。

灵活多变,适应广泛:设计灵活,支持双脉冲或连续PWM运行下的各种测量,适配光伏、储能、电动汽车充电等多种应用场景。

精准测量,操作简便:支持1500VDC母线电压,可调栅极驱动电压,支持外部XMC4400控制器,提供准确的数据支持,助力做出更加精准的决策

优化驱动,高效测试

用于2000V SiC MOSFET模块的数字驱动评估板

一键加速研发:帮助客户快速启动基于2000V碳化硅MOSFET样机的特性测试,抢占市场先机。

智能灵活,随心所欲:采用EiceDRIVER 1ED38x0Mc12M数字电路,支持I2C-BUS灵活设置参数,无需硬件改动,即可针对不同应用进行优化设计。

精细调整,保护升级:内置27个配置寄存器,通过I2C接口轻松调整阈值和时序参数,优化驱动保护特性,确保设备稳定运行。

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