SK海力士即将在8月6日至8日于美国圣克拉拉举办的全球半导体存储器峰会FMS 2024上大放异彩,向全球业界展示其在存储器技术领域的最新进展与对人工智能(AI)未来的深邃洞察。此次参展,SK海力士不仅将全面呈现其存储器产品的技术革新,更将焦点对准了下一代AI存储器技术的璀璨前景。
会上,SK海力士将自豪地揭开其下一代AI存储器产品的神秘面纱,包括备受瞩目的12层HBM3E样品,该产品预计将于今年第三季度正式投入量产,其高性能与高效能特性将为AI计算领域带来革命性变化。此外,SK海力士还将展示其前瞻性的研发成果——计划于明年上半年推出的321层NAND闪存,这一技术突破预示着存储密度的巨大飞跃,将为AI数据密集型应用提供更加坚实的支撑。
通过此次展示,SK海力士不仅彰显了其在存储器技术领域的领先地位,更向全球传递了其在AI时代持续创新、引领未来的坚定信念。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
半导体
+关注
关注
334文章
26263浏览量
209719 -
存储器
+关注
关注
38文章
7361浏览量
163062 -
AI
+关注
关注
87文章
28790浏览量
266098 -
SK海力士
+关注
关注
0文章
916浏览量
38245
发布评论请先 登录
相关推荐
SK海力士2024台北国际电脑展精彩回顾
SK海力士在6月4日至7日举办的2024台北国际电脑展(COMPUTEX Taipei 2024)上展示了用于人工智能(
SK海力士率先展示UFS 4.1通用闪存
在最近的FMS 2024峰会上,SK 海力士凭借其创新实力,率先向业界展示了尚未正式发布规范的UFS 4.1通用闪存新品,再次引领
SK海力士FMS 2024峰会揭秘:UFS 4.1存储新品引领未来性能飞跃
在近日举行的FMS 2024峰会上,SK海力士震撼发布了其存储技术的最新成果,其中最为引人注目的
SK海力士豪掷748亿美元加码存储器芯片投资,聚焦HBM技术引领AI未来
在全球半导体产业与人工智能(AI)技术日新月异的今天,SK海力士以其前瞻性的战略眼光和雄厚的资金实力,再次成为业界的焦点。据最新报道,SK
SK海力士开发出用于端侧AI PC的高性能固态硬盘PCB01
(SSD)——PCB01。这款产品的推出,不仅标志着SK海力士在NAND闪存解决方案领域的又一次重大突破,也预示着AI存储器市场将迎来新的变
SK海力士五层堆叠的3D DRAM生产良率达到56.1%
)提交了一份关于3D DRAM(三维动态随机存取存储器)的详细研究论文。该论文不仅揭示了SK海力士在3D DRAM领域取得的显著进展,更向世界展示了其在这一未来
SK海力士HBM4E存储器提前一年量产
SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。
SK海力士联手台积电推出HBM4,引领下一代DRAM创新
SK海力士表示,凭借其在AI应用领域存储器发展的领先地位,以及与台积电在全球顶尖逻辑代工领域的深厚合作基础,该公司有信心持续引领HBM技术创
SK海力士展示业界最高标准适于AI应用的存储器产品
3月18日至21日,SK海力士在圣何塞举办的2024年度英伟达GPU技术大会(NVIDIA GTC 2024,NVIDIA GPU Tech
SK海力士将于3月量产HBM3E存储器
在全球存储半导体市场的激烈竞争中,SK海力士已正式结束了第五代高带宽存储器器(HBM3E)的开发工作,并成功通过了Nvidia长达半年的性能
铠侠向SK海力士提议在日产非易失性存储器,推动合作达成
去年,铠侠与西数的合并谈判因韩企 SK 海力士阻挠而被搁置,其顾虑在于合并后的企业体量过大。为打破僵局争取 SK 海力士的支持,铠侠提出借助其实施的日本产 3D NAND 晶圆厂,提供
SK海力士将在CES2024向全世界展示AI存储器领导力
2024年1月3日,SK海力士宣布,公司将参加于1月9日至12日在美国拉斯维加斯举行的世界最大规模电子、IT展会“国际消费电子产品展览会(CES 2024)”,届时
SK海力士在CES 2024展示未来AI基础设施关键技术
尤其值得关注的是,HBM3E系目前最具顶级性能的存储器,由SK海力士于去年8月成功研发。公司预计自今明两年起实现此类产品的大量生产,并向广泛的AI科技企业供应。
评论