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Diodes公司高速视频开关PI3WVR41产品介绍

Diodes 达迩科技半导体 来源:Diodes 达迩科技半导体 2024-08-06 15:29 次阅读

本期目录

HDMI/DP 开关:支持最新 DP/HDMI 标准、13.5Gbps 高速视频开关USB 开关

霍尔效应锁存器:增加工业产品应用耐用性的高电压霍尔效应锁存器系列

LED 驱动器:符合汽车规格*、40V、降压、调光 LED 驱动器,使用加强散热和小尺寸封装

SiC MOSFET:采用TO263-7封装、符合汽车规格的 SiC 1200V MOSFET,可提升子系统效率

产品概述如下

HDMI/DP 开关:支持最新 DP/HDMI 标准、13.5Gbps 高速视频开关

PI3WVR41310 是一款宽电压、支持多种标准、4 通道的3:1 多路复用/1:3 解复用视频开关。此器件支持 DisplayPort 2.1 (UHBR13.5)、HDMI 2.1 以及新兴和专有的标准。可使用 DDC/AUX 和 HPD 通道多路复用/解复用引脚,开关 DDC/AUX 和 HPD 信号

PI3WVR41310 可传输高达 1.2V 峰值至峰值的高速差分信号,且 TMDS 信号的共模电压范围为 0 至 VDD。宽广的电压范围可以允许直流耦合多标准工作,无需交流耦合电容器,因此可以节省电路板空间,并提高密集 PCB 设计的信号完整性。

低插入损耗、高带宽,可在13.5Gbps和10GHz下分别维持 -1.8dB和 -3dB 带宽

低串扰、关断隔离、位至位偏移:

串扰:6.75GHz 时为 -38dB

关断隔离:6.75GHz 时为 -28dB

位至位偏移:5ps (典型值)

产品封装:TQFN(ZL52)

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标准应用

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霍尔效应锁存器:增加工业产品应用耐用性的高电压霍尔效应锁存器系列

AH371x 是高电压、高性能霍尔效应锁存器系列,适用于无刷直流电机换向、速度测量以及增量旋转和线性编码器/位置传感器

这些器件包含六种不同的磁性工作和释放点 (BOP和 BRP),范围涵盖标准 ±25 至 ±140 高斯。此全新产品系列具有开漏(Open Drain)输出,可抵抗物理应力,为多种工业产品应用提供解决方案 (AH371xA 集成上拉电阻:AH3712A、AH3713A、AH3714A)。

13µs 快速启动时间和 5µs 响应时间,为 BLDC 电机的转子换向(Rotor Commutation)提供更快、更好的定位感测准确度

电压输入范围:3V 至 27V

温度范围:-40°C 至 +125°C

产品封装:SC59、SOT23 (S 型) 及 SIP-3 (散装)

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LED 驱动器:符合汽车规格*、40V、降压、调光 LED 驱动器,使用加强散热和小尺寸封装

AL8841Q 是一款迟滞模式(Hysteretic Mode) DC-DC 降压 LED 驱动器,设计用于从高于 LED 电压的电压来源高效驱动单一或多个串联 LED。该器件的工作输入电压为 4.5V 至 40V,并提供外部可调节输出电流,TSOT25 封装版本的电流高达 1A,而 MSOP-8EP 封装版本则为 1.5A。

该器件的 CTRL 引脚可接受直流模拟电压信号或 PWM 数字信号,可以轻易调整 LED 亮度。该引脚还能用于调整 AL8841Q 的软启动时间,可使用 CTRL 与接地之间的外部电容进行调整。当CTRL 引脚上的电压达到 0.3V 或更低时会停止器件开关功能,但不会让器件进入低功率待机状态,因此具有比 AL8860Q/61Q更快的 PWM 调光反应。

输入电压:4.5V 至 40V (可在整个 12V 电池范围内工作)

集成低 200mΩ RDS(on)功率的 MOSFET ,可达到高至 97% 的效率

支持 PWM 或模拟调光

产品封装:MSOP-8EP (散热增强) 和 TSOT25 (小尺寸)

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SiC MOSFET:采用TO263-7封装、符合汽车规格的 SiC 1200V MOSFET,可提升子系统效率

DMWSH120H90SCT7Q 是 Diodes 公司首款符合汽车规格的碳化硅 (SiC) MOSFET,采用 T0263-7 封装。此器件具有高功率密度和效率,可进行双向充电,并可显著降低电动和混合动力车 (EV/HEV) 汽车子系统中 DCDC 和车载充电 (OBC) 的系统成本。

DMWSH120H90SCT7Q使用 +15/-4V 的栅-源极电压 (Vgs) ,可在最高1200VDS安全可靠地工作。该器件的 RDS(ON)为 75mΩ (典型值),并具有快速且耐用的体二极管(Body Diodes),可提供快速开关 (tRR) 和低反向恢复电荷 QRR,将高频下的开关损耗降至极低。

TO263 封装有7 个引脚,RθJC为 0.76°/C,漏极电流可达到 38A,并且具有一个凯氏(Kelvin)感测引脚。当连接至源极引脚时,此感测引脚可以更好控制栅极,优化器件性能。

低 RDS(ON) 搭配低 Qg ,可让系统设计者极大提升效率,同时确保极低功耗

低 RthJC(0.76C/W) ,可达到最高 38A 的漏极电流

产品封装:TO263-7 (具有凯氏感测引脚)

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原文标题:Diodes公司最新产品快报2024第七期

文章出处:【微信号:Diodes 达迩科技半导体,微信公众号:Diodes 达迩科技半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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