近日,SK海力士与美国商务部共同宣布了一项重大合作进展,双方已正式签署了一份具有前瞻性的初步备忘录。根据协议内容,SK海力士计划在美国建设的先进封装生产基地将享受到来自美国政府的鼎力支持,包括直接补贴高达4.5亿美元(折合当前约32.11亿元人民币)以及额外5亿美元(折合当前约35.68亿元人民币)的贷款支持。
这笔资金的注入,无疑为SK海力士的全球化战略注入了强劲动力。该生产基地位于美国西拉斐特,将专注于打造一条世界领先的下一代HBM内存封装生产线。这一生产线不仅代表了半导体封装技术的最新成果,更预示着SK海力士在全球内存市场中的竞争实力将再上新台阶。
此外,SK海力士还透露,将积极申请相当于合格资本支出25%的投资税收抵免,以进一步减轻企业的财务负担,加速项目的落地与推进。据悉,该生产基地预计将于2028年下半年正式进入量产阶段,届时将为全球客户提供更加高效、可靠的内存解决方案。
此次合作不仅彰显了SK海力士在半导体封装领域的深厚底蕴与创新能力,也体现了美国政府对高科技产业发展的高度重视与坚定支持。随着项目的稳步推进,SK海力士有望在全球半导体市场中占据更加举足轻重的地位。
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