三星确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存产线投资

据韩国媒体最新报道，三星电子已正式确认在平泽P4工厂投资建设先进的1c nm DRAM内存产线，并预计该产线将于明年6月正式投入运营。这一举措标志着三星电子在半导体技术领域的又一次重要布局。

平泽P4工厂作为一座综合性半导体生产中心，其建设规划分为四期。早期规划中，一期专注于NAND闪存的生产，二期原计划为逻辑代工，但后续策略有所调整，将重点转向DRAM内存的生产。目前，三星已在P4工厂的一期成功导入了DRAM生产设备，并正紧锣密鼓地筹备更高技术含量的1c nm DRAM产线的建设。

值得注意的是，1c nm DRAM代表了第六代20~10nm级别的内存工艺，是当前半导体技术的前沿。尽管目前市场上各家的1c nm（或对应的1γ nm）产品尚未正式发布，但三星电子已率先迈出步伐，计划在今年底启动1c nm内存的生产。这一决策不仅展现了三星在技术创新方面的领先地位，也为其在全球内存市场的竞争中占据有利地位奠定了坚实基础。

此外，有报道称，三星还考虑在2025年下半年推出的HBM4内存上采用1c nm DRAM裸片，以更先进的DRAM制程提升HBM4产品的能效竞争力，追赶并超越行业内的领先者。这一举措无疑将进一步巩固三星在高端内存市场的领先地位，并为其未来的发展注入新的动力。