SK海力士近日宣布了一项重要计划,即开发采用4F2结构(垂直栅)的DRAM。这一决策紧跟其竞争对手三星的步伐,标志着SK海力士在DRAM制造领域的新探索。SK海力士研究员表示,随着极紫外(EUV)工艺成本的不断攀升,自1c DRAM商业化以来,传统制造工艺的经济性正受到严峻挑战。因此,公司决定尝试4F2结构DRAM,旨在通过技术创新来缩减成本。
4F2结构DRAM作为一种先进的内存制造技术,通过垂直堆叠晶体管来优化单元阵列结构,有效减少了芯片表面积,提升了制造效率。SK海力士此举不仅体现了其对技术前沿的敏锐洞察,也彰显了公司在面对成本压力时的灵活应对能力。未来,随着4F2结构DRAM的推出,SK海力士有望进一步提升市场竞争力,推动行业成本优化和技术进步。
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