30W-PD快充协议芯片应用方案
30W-PD快充协议芯片应用方案
一、概述
该30W-PD快充协议芯片方案由PN8165(A)、PN8307P、AP5811套片组成。PN8165内部集成了准振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源，PN8307P包括同步整流控制器及高雪崩能力内置功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管，AP5811是一款高集成度的快充协议，可支持多种快充协议。
二、特征
输入电压:90~265V全电压
输出功率:30W
输出规格:5V3A,9V3A，12V2.5A，15V2A，20V1.5A效率:满足CoCV5Tier2能效规范
通过PD3.1认证(TID:9260)
支持BC1.2/QC2.0/QC3.0/SCPA/AFC/PD2.0
/PD3.1/PPS/Apple5V2.4A快充协议
三、电路原理图
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