8月19日,晶合集成通过其官方公众号宣布了一项重大技术突破,该公司与国内领先的图像传感器设计公司思特威强强联手,成功推出了业界首颗1.8亿像素全画幅(尺寸达2.77英寸)CMOS图像传感器(CIS)。这一创新成果不仅为高端单反相机市场带来了更多元化的图像传感器选择,更标志着中国在超高像素全画幅CIS领域取得了重大进展,有效打破了日本索尼长期以来的市场垄断。
晶合集成在CMOS图像传感器领域的持续深耕与加速发展,再次得到了有力证明。此次推出的1.8亿像素全画幅CIS,是晶合集成基于其自主研发的55纳米工艺平台,与思特威紧密合作,共同攻克光刻拼接技术难关的结晶。面对像素列中拼接精度的高要求以及良率提升的挑战,双方团队凭借卓越的技术实力和不懈的努力,成功突破了单个芯片尺寸的限制,实现了在纳米级制造工艺下,拼接后芯片电学性能与光学性能的完美统一。
该产品的问世,不仅标志着光刻拼接技术在大靶面传感器领域的成功应用,更为后续更大靶面全画幅、中画幅传感器的研发奠定了坚实的基础。同时,这款1.8亿像素全画幅CIS以其卓越的8K 30fps PixGain HDR模式高帧率、超高动态范围等领先性能,以及优化后的光学结构,展现出了强大的市场竞争力。它能够兼容多种光学镜头,提升终端产品的灵活应用适配能力,为摄影爱好者和专业摄影师提供更加出色的拍摄体验。
此次合作与突破,不仅是对晶合集成与思特威技术实力的肯定,更是中国半导体产业在高端图像传感器领域迈出的重要一步。它不仅打破了国外品牌的市场垄断,更为本土产业的发展注入了新的活力与信心。未来,随着技术的不断进步和市场的持续拓展,相信中国半导体产业将在更多领域实现自主创新与突破,为全球科技产业的发展贡献更多中国智慧与力量。
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