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氮化镓(GaN)功率半导体市场风起云涌,引领技术革新与产业升级

要长高 2024-08-26 16:34 次阅读

自去年以来,氮化镓(GaN)功率半导体市场持续升温,成为半导体行业的焦点。英飞凌瑞萨电子、格芯等业界巨头纷纷通过并购GaN技术公司,加速在这一领域的布局,旨在强化技术储备并抢占市场先机。随着快充技术的成熟以及电动汽车、人工智能机器人等新兴产业的蓬勃发展,对更高功率、更低能耗的需求日益增长,氮化镓器件正逐步取代传统硅基器件,在高价值应用场景中展现出巨大的商业化潜力。

氮化镓:第三代半导体的璀璨明星

氮化镓作为第三代半导体的代表,以其独特的物理和化学性质脱颖而出。其高击穿强度、快速开关速度、高效导热性能、高电子漂移速度和迁移率,以及低导通电阻,共同构成了氮化镓在功率器件领域的核心竞争力。这些优势使得氮化镓器件能够实现优异的散热性能、降低能耗,并显著缩小器件体积,从而在多个领域展现出广阔的应用前景。

在制造方面,氮化镓晶体可在蓝宝石、碳化硅和硅等多种衬底上生长,特别是硅基氮化镓外延层的生产,能够充分利用现有的硅制造设施,降低生产成本,提高生产效率。这一特性为氮化镓技术的普及和商业化应用奠定了坚实基础。

并购潮起,行业整合加速

近年来,氮化镓技术的价值日益凸显,吸引了众多半导体厂商的关注和投资。英飞凌、瑞萨电子、格芯等大厂纷纷通过并购方式,快速获取氮化镓技术专利和成熟产品,以加速自身在氮化镓领域的布局。这些并购交易不仅增强了企业的技术实力和市场竞争力,还推动了氮化镓技术的快速发展和商业化应用。

例如,英飞凌以8.3亿美元收购加拿大GaN技术厂商GaN Systems,并计划斥资20亿欧元扩大氮化镓和碳化硅芯片的产能;瑞萨电子则完成了对全球GaN功率半导体供应商Transphorm的收购,以满足市场对宽禁带半导体产品的日益增长需求;格芯则通过收购Tagore Technology的功率GaN技术及知识产权组合,拓宽了公司电源IP产品组合。

市场前景广阔,多领域全面开花

氮化镓技术的广泛应用前景得到了业界的广泛认可。在智能手机、家电等消费电子市场领域,氮化镓已经拥有较高的渗透率,并正在加速向高功率的工业、服务器及汽车市场发展。特别是在生成式人工智能(AI)和电动汽车等新兴领域,氮化镓技术更是展现出了巨大的应用潜力。

在AI服务器领域,高性能的AI服务器对电源功率密度和能效提出了更高要求。氮化镓功率器件不仅能够实现更高功率规格,还能减少功率转换中的能耗,从而降低全球数据中心的能源浪费和碳排放。在人形机器人领域,氮化镓技术能够满足电机驱动对高功率密度、高效率和快速响应速度的需求,推动人形机器人的发展。

在电动汽车领域,随着汽车电动化、自动驾驶等技术的发展,对功率器件的转换效率要求越来越高。虽然目前电动汽车大多在高压场景下应用碳化硅器件,但氮化镓在速率和效率方面的优势使其与碳化硅形成互补态势。特别是在车载信息娱乐系统DC-DC转换、无刷直流汽车电机、激光雷达和48V轻混动力汽车等领域,氮化镓技术将发挥重要作用。

展望未来,氮化镓技术将持续引领产业升级

随着氮化镓技术的不断成熟和商业化应用的深入拓展,其市场前景将更加广阔。据市场研究机构Yole Group预测,到2029年功率GaN市场规模将超过25亿美元。面对这一巨大的市场机遇,氮化镓厂商将继续加大研发投入和市场拓展力度,通过技术创新和产品升级满足市场需求。同时,行业内的并购整合也将持续进行,推动氮化镓产业的快速发展和产业升级。

在本月底即将举行的PCIM Asia 2024展会上,国内外一线GaN厂商将汇聚一堂展示最新的产品组合和技术趋势。这将为业界提供一个交流合作的平台推动氮化镓技术的进一步发展和应用。

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